TEM复习提要资料.docVIP

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一、布拉格定律 代数形式2dHKLsin(θ)=λ(近似2dHKLθ=λ), 或矢量形式 二、衍射束振幅计算 三、TEM基本结构 从上之下 1. 电子枪:分类——热发射、场发射,三极结构,哪三极,三极的电位高低 2. 电磁透镜 物镜:依靠高尺寸精度的极靴及其高装配精度,获得高轴对称高强度非均匀磁场,以使物镜具有高分辨率,物镜的分辨率决定了整个电镜的分辨率。 概念:电磁透镜的球差、像散、色差、景深、焦长 孔径半角、散射角。注意:电子沿透镜光轴入射时,散射角大于孔径半角的电子不能用于TEM成像。 孔径半角对球差、像散、色差、景深、焦长的影响规律 四、TEM拍摄图像(高倍)与衍射花样的光路示意图 五、衍射花样标定: 下图为钢铁材料的花样,请对所有衍射斑点进行晶面指数标定,格式为(例):(110)γ,(112)α。写出晶带轴指数,格式为(例):B=[011]γ。下标α和γ分别代表铁素体相和奥氏体相。 附铁素体与奥氏体的晶面间距表。 六、TEM明场像、普通暗场像、中心暗场像成像光路图(需要显示选区光阑和物镜光阑的位置) 七、给出试样上各晶区(面心立方)的选区衍射花样,画出图示物镜光阑所套位置的图像示意图(不插入选区光阑) 八、如图,已知薄膜试样向上弯曲。薄膜B处微区某晶面与电子束平行,A处微区该晶面的倒易阵点-G的偏离矢量s=0,C处微区该晶面的倒易阵点G的偏离矢量s=0。请参考B处微区的晶面、入射束波矢、倒易球、倒易阵点的关系示意图,绘出A处微区、B处微区的晶面、入射束波矢、倒易球、倒易阵点的关系示意图。参考图(a)、(b)、(c)的选区衍射花样,在括号中填入相应的选项(a、b或c)。不插入选区光阑的情况下,分别绘出-G、O、G斑点中的示意图像。 九、在第八题中,若薄膜试样向下弯曲。薄膜B处微区某晶面与电子束平行,A处微区该晶面的倒易阵点-G的偏离矢量s=0,C处微区该晶面的倒易阵点G的偏离矢量s=0。请参考B处微区的晶面、入射束波矢、倒易球、倒易阵点的关系示意图,绘出A处微区、B处微区的晶面、入射束波矢、倒易球、倒易阵点的关系示意图。参考图(a)、(b)、(c)的选区衍射花样,在括号中填入相应的选项(a、b或c)。不插入选区光阑的情况下,分别绘出-G、O、G斑点中的示意图像。 十、如图所示刃型位错。电子束沿位错处多余原子面方向入射。衍射晶面如图所示。A区与B区的晶面的倒易阵点G或-G的偏离矢量=0。参考第八题,绘出A处、O处、B处微区的晶面、入射束波矢、倒易球、倒易阵点的关系示意图。参考第八题图(a)、(b)、(c)的选区衍射花样,在括号中填入相应的选项(a、b或c)。不插入选区光阑的情况下,分别绘出-G、O、G斑点中的示意图像。 第八、九、十题提示:明场像中,晶体中出现的每一条弯曲(等倾)暗条纹、位错暗条纹(或推而广之,暗区),都对应此刻该晶体中某一指数的晶面(晶体的某一倒易矢量)满足布拉格条件的区域,一般来说不同的条纹对应不同指数的晶面(倒易矢量),若仅对某暗条纹区域做选区衍射,则除透射斑点外,此条纹相应的衍射斑亮度最大。若选取该晶体的某一衍射斑点观察该晶体的暗场像,则该晶体中的亮条纹区(或推而广之,亮区)中对应该衍射斑的晶面满足布拉格条件;或者说在该晶体中,如果某些区域的此衍射斑所对应的晶面满足布拉格条件,则显示明亮的衬度,呈现亮的条纹或其它形貌。 十一、什么叫衍射衬度、质厚衬度、原子序数衬度、相位衬度、z衬度、形貌衬度(倾斜衬度、漫射衬度)、成分衬度。明场TEM像、暗场TEM像、TEM晶格像、STEM(扫描透射)像、SEM二次电子像、SEM背散射电子像分别以何种衬度为主,分别采集何种信号成像? 十二、DigitalMicrograph、Carine使用练习。在Carine中绘制衍射花样,记下某衍射斑相应的晶面间距(注意单位是埃,即0.1nm),去掉坐标符号(a*b*c*),拷屏,打开图像编辑软件(如画图)粘贴,适当裁剪,色彩格式改为灰度(或黑白),保存为图片文件。在DigitalMicrogragh中打开图片文件,用“LineROI”从透射斑点中心到该衍射斑点中心拉出一条虚线,点击菜单项“Analysis/Calibrate…”,在对话框中右侧的“Units”中选择“1/nm”,在对话框左上侧“Enter d-spacing in nm”的文本框中输入该衍射斑相应的晶面间距值(注意单位),点“OK”,然后点击菜单项“Edit / Data Bar / Add Scale Maker”,适当调整图上的标尺长短。拷屏,利用图像编辑软件裁剪编辑,色彩改为灰度(或黑白),保存为图片文件。 注意:带标尺的衍射花样照片,其相机常数=(标尺的长度)*(标尺示数的倒数)。 绘制下列金属(教材附录12 元素的物理性质)的

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