霍儿效应张晓旭分析报告.ppt

利用霍耳法测量磁感应强度 基础实验中心 张晓旭 Edwin Hall（1855～1938） 霍耳效应是于1879年 Hall24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。 在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍耳效应，所产生的电势差称为霍耳电压。 背景介绍 霍耳效应 背景介绍 霍耳效应 霍尔,麦克斯韦的《电磁学》：“推动载流导体切割磁力线的力不是作用在电流上……在导线中的电流本身完全不受磁体或其他电流的影响。” 瑞典物理学家埃德隆的一篇文章：磁铁作用在固态导体中的电流上，恰如作用在自由运动的导体上一样 霍尔针对对麦克斯韦描述的怀疑，在其老师罗兰的鼓励下进行了大量的实验，最终发现了霍尔效应。 英国物理学家洛奇也独立地提出来过与霍尔实验类似的想法。但是他在读了麦克斯韦论文中那段话之后，被这位权威吓住了，结果放弃了进行这个实验的想法。 长时期以来，霍耳效应是在室温和中等强度磁场条件下进行实验的。1980年,德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing)发现在低温条件下半导体硅的霍耳效应不是常规的那种直线，而是随着磁场强度呈跳跃性的变化，这种跳跃的阶梯大小由被整数除的基本物理常数所决定。 这在后来被称为整数量子霍耳效应。由于这个发现，克利青在1985年获得了诺贝尔物理奖。 背景介绍 量子霍耳效应 高纯度半导体材料 超低温环境：仅比绝对零度高十分之一摄氏度（约－273℃） 超强磁场：当于地球磁场强度100万倍 崔琦 Robert Laughlin Horst Stormer 构造出了分数量子霍耳系统的解析波函数 1998年的诺贝尔物理学奖 背景介绍 分数量子霍耳效应 分数量子霍耳效应 背景介绍 半整数量子霍耳效应 最近一次与霍尔效应有关的诺贝尔奖是2010年的诺贝尔物理奖。2005年，英国科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯，在常温下观察到量子霍尔效应。他们于2010年获诺奖。石墨烯这种“超薄的碳膜”厚度只有0.335纳米，是至今发现的厚度最薄和强度最高的材料。 了解霍耳效应的原理； 掌握用霍耳元件测量磁场的方法； 学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统 误差。 实验目的 现象 —— 霍耳效应 在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍耳效应，所产生的电势差称为霍耳电压。 理论分析 磁场中运动载流子受洛伦兹力作用 电荷聚集形成电场 电场力与洛伦兹力达到平衡，形成稳定电压UH mA - B mV 实验原理 又考虑到(n为载流子浓度) 即： KH=1/(nqd)称为霍耳元件的灵敏度，判断导电类型； IS为流过霍耳元件的电流，即其工作电流。 —— 如果已知霍耳片的灵敏度KH，用仪器测出VH和IS即可求得磁感应强度的量值. RH=1/(nq)称为霍耳系数； 实验原理 埃廷斯豪森效应 ＵE∝Ｉx·Ｂz P型半导体 + _ 温度低 温度高 Jx ⊙ Ｂz N型半导体 Ey Jx _ + 温度低 温度高 ⊙ Ｂz Ey ＵE方向与I和Ｂ方向有关。 由于材料中载流子的速度不同，在磁场的作用下，载流子的偏转半径不同，从而在y轴方向产生温度梯度，由此温度梯度形成的温差电动势为埃廷斯豪森电压。 实验原理 霍耳效应中的负效应 沿x方向通以电流，两端电极与样品的接触电阻不同而产生不同的焦耳热，致使x方向产生温度梯度，这一温度梯度引起一附加的纵向热扩散电流，在磁场的作用下，从而在y轴方向产生横向电位差，为能斯特电压。 ＵN∝Ｑx·Ｂz ＵN方向只与Ｂ方向有关。 实验原理 霍耳效应中的负效应 能斯特效应 纵向热扩散电流，在磁场的作用下，从而在y轴方向产生横向温差，这一横向温差又引起横向电位差，为里吉-勒迪克电压。 ＵRL∝Ｑx·Ｂz ＵRL的方向只与Ｂ的方向有关。 里吉-勒迪克效应 实验原理 霍耳效应中的负效应 Ｕ0＝Ｉx·R0 制备霍耳样品时, y方向的测量电极很难做到处于理想的等位面上，即使在未加磁场时，在Ａ、Ｂ两电极间也存在一个由于不等位电势引起的欧姆压降Ｕ0 U0的方向只与Ix的方向有关。 不等位效应 实验原理 霍耳效应中的负效应 埃廷斯豪森效应 ＵE 方向与I和Ｂ方向有关。 能斯特效应 ＵN方向只与Ｂ方向有关。 里吉-勒迪克效应 ＵRL的方向只与Ｂ的方向有关 不等位效应