膜片钳技术分析报告.ppt

Rs是指流过电极尖端的电流所遇到的所有电阻。 当将电极放入浴液中或在形成高阻封接时，Rs主要是电极电阻; 全细胞记录模式形成后， Rs包括电极电阻 、破裂膜的残余膜片电阻、细胞内部电阻。 一、串联电阻（Series resistance, Rs）补偿 Rs引起的误差有如下二方面： 1. 串联电阻产生电压降，严重影响膜钳制 电压的数值； 2. 膜电位对步阶命令电压的反应时间延迟。 补偿方法：调节“%-COMP”按钮 二. 液界（接）电位及其补偿 主要成分： 1. 液体--金属：AgCl电极与电极内液； 2. 电极内液--细胞外液； 3. 电极内液--细胞内液（破膜后，等待一 定时间即可消除）。 范围：可达几百mV 补偿方法：电极入水按“Search”，“Offset” 三. 膜片钳系统中的电容 膜电容（Membrane capacitance, Cm） 细胞膜的脂质双分子层是电的不良导体，因而由细胞外液-脂质双分子层-细胞内液就构成了细胞膜电容。 Cm的大小与细胞膜表面积（包括内陷折叠部分）成正比，与脂质双分子层的厚度成反比。 对于一个球形细胞，膜电容的计算公式为： Cm=πd2 / 100 (pF) d为细胞直径（μm） 由于有细胞膜内折（Infolding）的存在，实际的Cm要比计算的大1.5-3倍。 一般情况下，生物膜的电容大体都是1μF/cm2。 电极电容（Pipette capacitance, Cp） 电极电容包括跨壁电容（ Ct ）、电极非浸 液部分与邻近地表形成的漂浮电容（Cs）。 跨壁电容（Transmural capacitance, Ct） 电极浸液部分的内外液之间形成的电容，跨壁电容的介质为玻璃电极壁。 在膜片钳实验中其值可能很大，一般电极浸液深1mm会产生1pF或更大一些的电容。 减小跨壁电容的方法： 1. 加厚电极管壁：采用厚壁玻璃毛坯拉制电极，或在电极浸液部分外部涂以硅胶树脂等疏水性物质。 2. 减小电极浸液深度：浸液部分越大，Ct越大。 3. 补偿电路：采用膜片钳放大器内置的电容补偿电路进行补偿。 慢电容（Slow capacitance, Cslow）与 快电容（Fast capacitance, Cfast） 快电容主要指电极电容； 慢电容主要指膜电容。 在贴附式记录时，膜电容数值较小。 此时要补偿的电容主要是快电容， 即电极电容。 打破细胞膜形成全细胞记录模式后， 膜电容显著增大。此时主要补偿的 是慢电容，即膜电容。 电容补偿的原则 C-FAST和τ-FAST按钮 “Fast”钮补偿快电容，主要是电极电容。大部分的电容瞬变值可用“Fast”控制钮进行补偿。 四.快速电容补偿（fast capacitance compensation） * 膜片钳技术讲座 2006年12月 第一部分 膜片钳技术的基本概念 第二部分 离子通道的基本知识 第三部分 全细胞记录结果举例分析 第一部分 膜片钳技术的基本概念 学习内容 1. 膜片钳的发展历史 2. 膜片钳的工作原理 3. 膜片钳记录常用的设备 4. 膜片钳记录的方式及基本操作 5. 全细胞记录的步骤 6. 基本概念和参数的设置 1976年德国马普生物物理化学研究所 Neher和Sakmann首次在青蛙肌细胞上记 录到Ach激活的单通道离子电流，从而产 生了膜片钳技术。 1980年Sigworth等获得10-100GΩ的高阻 封接（Giga-seal）。 1981年Hamill和Neher等对该技术进行了 改进，引进了全细胞记录技术。 1. 膜片钳的发展历史 内尔(Neher) 萨克曼(Sakmann) （1944-） （1942-） 合作发明了膜片钳技术，并应用这一技术首次证实了细胞膜上存在离子通道。二人共获1991年诺贝尔生理学与医学奖。 膜片钳技术（Patch clamp） 用微玻管电极接触细胞膜，以吉欧姆（GΩ）以上的阻抗使之封接，使电极开口处的细胞膜与其周围膜在电学上绝缘，在此基础上固定电位，对此膜片上离子通道的电流进行监测记录的方法。 Patc