瓦利安-离子注入机工作原理01资料.docVIP

第三部分 原理 瓦利安半导体设备有限公司 VIISta HCS 目录 章 节 章节编号 原理介绍…………………………………………………………………控制原理………………………………………………---………………离子注入操作原理……………………………………………………… 介绍 版本 版本情况 日期 认可 发布 A 最初发布 11/09 p.s 42923 VIISta HCS型高束流离子注入机是高自动化的生产工具。此离子注入机可以将单一离子类别掺杂剂的离子束注入到硅片中。 首先利用Varian 控制系统（VCS）产生工艺配方，在配方的基础上制定产生离子束的确切标准。工艺配方的设计目的包括：控制掺杂剂种类的选择，控制剂量、控制离子束的能量、注入角度等以及工艺步骤等等。 在阅读本章之前，请阅读第二章安全方面内容。 一、系统单元组成 VIISta HCS 可以分为三个有用的重要的单元：离子源单元、离子束线单元、工作站单元。 1、离子源单元 离子源子单元包括产生，吸出、偏转、控制，和聚焦，离子是有间接加热的阴极产生再由吸极取出（由D1电源与吸级装置构成），在取出工艺过程中，为了得到离子束更好的传输和低的离子