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笫6章 调制与解调 6.1调制的基本概念 6.2幅度调制 6.2.1标准幅度调制与解调 6.2.2抑制载波调幅、单边带调幅和残留边带调幅 6.2.3正交幅度调制与解调 6.2.4 数字信号调幅 6.3 角度调制 6.3.1角调调制的基本概念 6.3.2频率调制信号的性质 6.3.4 实现频率调制的方法与电路 6.3.5调频波的解调方法与电路 6.4数字信号的相位调制 6.3.4.1变容二极管直接调频电路 (1)变容二极管的特性 变容管是利用半导体PN结的势垒电容随反向电压变化制成的一种二极管 变容管PN结必须反向偏置 (2)加在变容二极管两端的电压 加到变容管两端的电压,它由三部分组成: 偏置电压 调制电压 回路振荡电压 (3)变容二极管作为振荡回路总电容 变容二极管作为振荡回路总电容的调频原理分析: 假定振荡器的振荡频率由该回路决定。 为变容二极 管的电容,则回路的谐振频率也即振荡器的振荡频率为 变容二极管电容随调制电压而变化 得: (4)变容二极管的调制特性分析 可得振荡频率的表示式为: 变容二极管的调制特性分析 可得调制特性为: 上式表明: 有与调制信号成正比的成分(频率) 常数成分,产生了中心频率的偏移 有与调制信号频率各次谐波成比例的成分,从而使频率调制过程产生了非线性失真 变容二极管的调制特性分析 为了减小非线性失真,在变容管调频电路中,总是设法使变容管工作在 的区域,得到 实际调频电路中变容管上还作用着高频振荡电压,会影响调频线性、振荡幅度(产生寄生调幅)、中心频率稳定度等 实际调频电路中使变容管部分接入振荡回路--频偏会减小 6.3.4.2 变容二极管的调频电路 变容二极管的调频电路组成: LC振荡器(一般三点式)+变容管控制电路 变容管控制电路:偏置电压(反偏)电路和将调制信号有效加至变容管上的电路 变容管控制电路原则:不影响振荡器的正常工作。振荡信号也不影响控制电路 电路中常常采用高频扼流圈及隔直电容、滤波电容 例1 90MHz变容二极管调频电路 例1电路的高频等效电路 例2 背靠背变容二极管调频电路 电路中几个电感的作用 背靠背变容二极管调制电路的特点 电路特点: 两个变容二极管同极性对接,称为背靠背联接。 对振荡信号,两只变容管是串联的,每个变容管上所加有的振荡电压仅为谐振回路两端电压的一半。 背靠背联接可改善寄生调幅。 当加于变容管两端振荡电压幅度较 大时,变容管可能工作于导通状态,这将降低回路的Q值。产生寄生调幅。 对从B-B’端加入的直流偏置电压和调制电压两只变容管相当于并联。两管所处的偏置点和受调状态是相同的。 总电容变化范围减小,频偏减小,线性好。 例3(续1) 例3(续2) 调频波的中心频率: 最大频偏:由频谱图 思考:若已知调制信号幅度 频偏如何求? 求 求 变容管上所加电压有三部分:偏置电压、调制信号、高频振荡 变容二极管直接调频电路的优缺点 (1)变容二极管直接调频电路的优缺点 电路简单,变容管本身体积小 工作频率高 易于获得较大的频偏 产生了中心频率的偏移。由于偏置电压漂移,温度变化等 会改变变容管呈现的电容,从而影响中心频率的稳定度等 在频偏较大时,非线性失真较大 为了减小非线性失真,在变容管调频电路中,总是设法使 变容管工作在 的区域。(变容管部分接入振荡回路) 用两个变容二极管背靠背联接电路或变容管部分接入振荡回路这可以减弱变容管对回路Q值的影响,减小寄生调幅 用晶体振荡器直接调频电路 6.3.4.3晶体振荡器直接调频电路 电路中晶体当等效电感元件用 工作频率在 和 之间 变容管改变了晶体等效电抗值,使频率改变 两个谐振频率十分接近 频偏小,但中心频率稳定度高 晶体调频电路扩大频偏方法1--串电感 晶体与变容二极管串联 中心频率稳定度提高,频偏很小(相对频偏10-4量级) 晶体调频电路扩大频偏方法2--并电感 加大频偏的措施:并电感 当工作频率很高时, , 支路呈电感,再并电感 调频时,瞬时频率可在 之间变,频偏可加大 晶体调频电路扩大频偏方法3—倍频 工作频率:100MHz. Q1低频放大,Q2接成皮尔斯振荡器等效电路如图(b),Q2集电极回路调谐在晶体振荡频率的三次谐波上,在晶体振荡频率处可视为短路. 振荡平衡时Q2集电极电流含丰富谐波,回路选出三次谐波完成三倍频功能.--载波和频偏都扩大了三倍。 6.3.4.4 间接调频--关键是调相器 先将调制信号进行积分处理,再进行调相而得到调频波,其方框如下图所示 (1)*变容二极管调相电路(
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