数字电路逻辑设计 第七章半导体存储器2.pptVIP

7.4 只读存储器(ROM) （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 二．ROM的结构及工作原理 （2）输出信号表达式： 用ROM实现逻辑函数一般按以下步骤进行： ① 根据逻辑函数的输入、输出变量数目，确定ROM的容量，选择合适的ROM。 ② 写出逻辑函数的最小项表达式，画出ROM的阵列图。 ③ 根据阵列图对ROM进行编程。 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： 3.作函数运算表电路 【例】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 真值表 Y7=m12+m13+m14+m15 EPROM举例——2764 本章小节 4、用ROM实现字符发生器 常用的点阵字符规格有9X7、7X7、7X5三种。 例：用7X5点阵说明如何实现显示一个字符R 列真值表： 地址码 输出 1 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 D0 D1 D2 D3 D4 A0 A1 A2 写出最小项之和表达式 D4=∑m(1~7） D3=∑m(1、4） D2=∑m(1、4、5） D1=∑m(1、4、6） D0=∑m(1~4、7） R字符占用存储单元： 7X5=35 如何实现多字符显示？ 输出为7条字线，每条字线同时输出5五位。 ROM的应用 ROM矩阵 64X7X5 字符控制 特征地址 输出缓冲 显示屏 A0~A2 A3~A8 8位 64位 5位 A0~A2:3位地址码是字符控制译码器的地址码。每个字符是7行x5列，也可以说每个字符是7个字X5位。 A3~A8:6位地址是特征地址译码器的地址码。可寻址范围0~63。 用ROM实现64个字符显示设计 图7-4-10 2716外引线排列图 ⌒ 铈/PGM A7 GND 13 12 14 11 15 10 16 9 17 8 18 7 19 6 20 5 21 4 22 3 23 2 24 1 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 VCC A8 A9 A10 OE 2716 VPP D7 D6 D5 D4 D3 7.4.5 EPROM集成片简介 编程高电压25V 片选/编程控制 　　2716～27512系列的EPROM集成片，除了存储容量和编程高电压不同外，其余都基本相同。 电源电压+5V 数据输出 +25V 0 0 编程检验 高阻浮置 +25V 1 0 编程禁止 数据写入 +25V 1 编程 高阻浮置 +5V × 1 维持 数据输出 +5V 0 0 读出 输出D VPP OE CE/PGM 工作方式 表7-4-3 EPROM 2716 工作方式 　　2716共有5种工作方式：读方式、维持方式、编程方式、编程禁止方式和编程检验方式。 一． ROM的分类 按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种： （1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。 （3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。 （5）快闪存储器（Flash Memory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。 （4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。 适合于大批量生产使用，性价比高。 适合于小批量试产使用，有保密位，可以加密。价格较高。 程序调试期间使用 ROM结构 译码驱动 MXN矩阵 字X位 读出放大， 选择电路 A1 A2 An W0 W1 WM-1 B0 B1 BN-1 字线 位线 由三部分组成： ☆ 地址译码器 ☆ 存储矩阵 ☆ 读出放大，选择电路 当地址译码器选中某一个字线后，该字线的若干位同时读出。 212＝4096字XN位 （N=8、16、32） 地址码输入 ☆ 12位地址 读写 控制 ROM的基本工作原理： 由地址