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浸没式光刻工艺
Semiconductor Manufacturing Basic 光刻 (2)
第四章
光 刻 (2)
《半导体制造》
Semiconductor Manufacturing Basic 光刻 (2)
浸入式光刻的原理和效果
ArF浸入式光刻
缩小透镜 分辨率
液回收 液供给
○ 波长:134nm的效果(折射率1.44的
场合) 工件台 焦深
○ 常规光刻的延伸 浸入式介质 扫描方向 晶圆
○ 主要课题 介质
● ArF干式光刻
高NA曝光设备
KrF浸入式光刻
●
浸没液内的气泡
F 干式光刻
2
●
缺陷 ArF浸入式光刻
F 浸入式光刻
2
PFPE:全氟聚醚
175 176
浸入式光刻的效果 焦深(以前的常规NA透镜+干式曝光)
干式 浸入式
以前的常规NA透镜 浸入式中光进入光
刻胶的入射角更锐
→焦深增加
干式 浸入式 焦深小
浸入式中更有可能
高NA透镜 成像
→高分辨率
光刻胶
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