+单晶电子衍射图的及标定分析报告.ppt

* 第2章 单晶电子衍射花样的分析与标定 FIGURE 2.13. Several kinds of DPs obtained from a range of materials in a conventional 100-kV TEM: (A) amorphous carbon, (B) an Al single crystal, (C) polycrystalline Au, (D) Si illuminated with a convergent beam of electrons. In all cases the direct beam of electrons is responsible for the bright intensity at the center of the pattern and the scattered beams account for the spots or rings that appear around the direct beam. 形成原理、典型衍射花样、花样特征 单晶电子衍射花样就是(uvw)*0零层倒易截面的放大像 电子束方向B近似平行于晶带轴[uvw]，因为θ很小，即入射束近似平行于衍射晶面。 反射球很大，θ很小，在0*附近反射球近似为平面。 倒易点阵的扩展。（因为使用薄晶体样品） 标定主要是指将花样指数化，其目的包括： 确定各衍射斑点的相应晶面指数，并标识之； 确定衍射花样所属晶带轴指数； 确定样品的点阵类型、物相及位向 单晶花样标定具有重要和广泛的意义。 单晶电子衍射花样的标定 已知单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网络的格点上。 表达花样对称性的基本单元为平行四边形。 单晶电子衍射花样几何特征的表达 2.1 单晶电子衍射及花样几何特征的表达 如图所示，选择平行四边形。 已知 h1k1l1 和 h2k2l2 可求 h3=h1+h2 k3=k1+k2 L3=L1+L2 同理，斑点矢径平方之间的关系：即 R12：R22：R32…主要用于多晶分析。 平行四边形可用两边夹一角来表征。 平行四边形的选择： 最短边原则 R1R2R3R4 锐角原则：600 ≤θ≤900 2.2 单晶电子衍射花样的标定 标定衍射花样时，根据对待标定相信息的了解程度，相应有不同的方法。一般，主要有以下几种方法： （1）当已知晶体结构时，有： 根据面间距和面夹角的尝试校核法 根据衍射斑点的矢径比值或N值序列的R2比值法 （2）未知晶体结构时，可根据系列衍射斑点计算的面间距 来查JCPDS（PDF）卡片的方法 （3）标准花样对照法 （4）根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法 2.2.1 已知晶体结构衍射花样的标定 尝试-核算（校核）法 测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中心斑点距离R1，R2，R3，R4 ????（见图） 根据衍射基本公式 求出相应的晶面间距d1，d2，d3，d4 ???? 因为晶体结构是已知的，某一d值即为该晶体某一晶面族的晶面间距，故可根据d值定出相应的晶面族指数{hkl}，即由d1查出{h1k1l1}，由d2查出{h2k2l2}，依次类推。 测定各衍射斑点之间的夹角。 决定离开中心斑点最近衍射斑点的指数。 若R1最短，则相应斑点的指数应为{h1k1l1}面族中的一个。对于h、k、l三个指数中有两个相等的晶面族（例如{112}），就有24种标法；两个指数相等、另一指数为0的晶面族（例如{110}）有12种标法；三个指数相等的晶面族（如{111}）有8种标法；两个指数为0的晶面族有6种标法，因此，第一个指数可以是等价晶面中的任意一个。 决定第二个斑点的指数。 第二个斑点的指数不能任选，因为它和第1个斑点之间的夹角必须符合夹角公式。对立方晶系而言，夹角公式为 决定了两个斑点后，其它斑点可以根据矢量运算求得 即 h3 = h1 + h2 k3 = k1 + k2 L3 = L1 + L2 根据晶带定律求零层倒易截面的法线方向，即晶带轴的指数 h1 k1 l1 h1 k1 l1 h2 k2 l2 h2 k2 l2 u v w 2.2.2 未知晶体结构衍射花样的标定 测定低指数斑点的R值。应在几个不同的方位摄取衍射花样，保证能测出最前面的8个R值。 利用电子衍射基本公式 Rd=L?，计算出各个对应的d值。 查JCPDS（ASTM）卡片，确定与d值都相符