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ZnO文献综述 ZnO作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,近年来受到了研究者的广泛关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。ZnO具有高达60meV的激子束缚能且激子在室温下可以稳定存在,因此,ZnO是制备室温紫外激光二极管(LDs)的理想材料。除此之外,ZnO还具有优良的压电、气敏、压敏等特性,而且原材料廉价丰富、无毒、化学稳定性及热稳定性好、抗辐射性强。因此,ZnO的诸多方面成为了研究的热点。其中,薄膜为ZnO的主要形态结构,具有重要的研究意义和应用价值。随着薄膜制备技术的发展和完善,几乎所有制备方法都可以用于ZnO薄膜的制备ZnO 的基础研究和器件研制领域已取得了众多突破性的进展，大量围绕ZnO薄膜的物理性质展开的研结果已表明, ZnO薄膜的光学、电学参数对外界环的改变比较敏感,例如外界压力、温度、外加电场改变往往会导致ZnO薄膜光学吸收边的移动。许多国内外学者也从不同角度研究了ZnO材料，主要可以归纳为，从制备工艺和功能特性两大方面进行研究。ZnO薄膜研究的重点之一是高质量ZnO薄膜的制备问题，高质量ZnO薄膜与它的工艺参数有着密切的联系，包括制备的方法、不同过渡层的选择、基片的温度、基片的不同选择、基片与靶材的距离、实验过程中的压强等参数。 浙江大学汪雷做了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展的分析，指出制备ZnO薄膜的不同方法及其优缺点。其中包括磁控溅射法、喷雾热分解、分子束外延、激光脉冲沉积、金属有机物化学气相外延等沉积枝术得到了有效应用；而一些新的工艺方法，如溶胶凝胶、原子层处延、化学浴沉积、离子吸附成膜、离子束辅助沉积、薄膜氧化等也进行了深入研究。采用不同的制备技术、工艺参数，制备的ZnO薄膜的结晶取向、薄膜厚度、表面平整度以及光电、压电等性质各有区别，从而，不同方法制备的ZnO薄膜的性能各有优缺点。浙江大学硅材料国家重点实验室于1996年利用直流磁控溅射在国内首次制备出C轴取向的ZnO单晶薄膜；P．Nunes等将醋酸锌溶解在甲醇中制得0．1M的溶液，采用喷雾热分解法制得ZnO薄膜；B．M．Bagnall利用分子束外延法得到了ZnO 薄膜，并进一步研究了紫外辐射随激发强度和激发温度的变化规律 。M．Joseph等利用脉冲激光沉积技术，400℃进行Ga、N共掺杂，制得P型ZnO， 并制做出ZnO 同质p-n结； Y．R．Ryu等利用PLD 技术在GaAs衬底上(衬底温度400～ 500℃，氧分压35m torr)掺As也得到P-ZnO；Yoshida利用激光增强金属有机物化学气相沉积，实现了在-100℃的沉积温度下生长ZnO 薄膜，透射率高达90﹪E．B．Yousfi利用原子层处延技术制得ZnO薄膜；A．E．Jim~nez—Gonzalez等将(znCH3COO)2·2H2O溶解在甲醇中，形成溶胶，在较低的温度下制得znO薄膜。G．W．Bao等将醋酸锌和乙二胺混合成溶液，并加入少许NaOH，pH在10～ 11，将载玻片清洗后浸入反应液，在50℃沉积1h，取出用蒸馏水洗净干燥得到ZnO薄膜，呈规则排列的销针状。K．Borgohain等利用低温液相生长技术生成了ZnO ：Cu量了点，掺杂水平高达10﹪wei Li等以Zn为靶材，采ZnO ：Zn膜；S．Cho等利用直流磁控溅射在多孔硅衬底上沉积得到Zn膜，然后将其置于latm 氧气氛中，300～ 1000℃氧化30min，得到ZnO多晶薄膜。A．Miyake等将ZnS薄膜在空气中800℃退火5～15h也生长出ZnO 薄膜。刘美林利用sol-gel法制备了具有不同择优取向的ZnO纳米颗粒薄膜,同时具体分析了工艺参数对ZnO薄膜质量及生长取向的影响并对不同择优取向ZnO薄膜的生长机制进行了详细的研究。北京工业大学陈健利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有C轴择优取向的多晶ZnO薄膜，研究了各生长条件，如前驱物溶液浓度、衬底温度、沉积时间、退火处理和掺杂浓度对ZnO薄膜结构和性能的影响。实验结果表明，前驱物浓度增加有利于制备C轴取向生长的ZnO薄膜；400时，沉积出高质量C轴择优取向的ZnO薄膜，在氧气气氛下退火温度为600时，得到的薄膜结晶性较好；而且，掺杂浓度增加不利于ZnO薄膜的取向生长。受激发射光致发光结果表明，样品在600退火时390nm紫外发射最强，同时观察到强度较弱的可见光发光带。实验还发现，退火气氛可明显改变ZnO的本征和缺陷发光，可见发光机制探讨中，蓝绿发光的主要是由氧空位或锌填隙等缺陷引起的。Hang Ju Ko利用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的ZnO薄膜；Zhang等人利用分子束外延方法在Al2O3上制备了 ZnO的发光二极管；Su等人利用等离子体协助分子束外延(P-MBE)方法制备了ZnO/ZnM