KDY型四探针电阻率说明书要点分析.docVIP

KDY—4型四探针电阻率/方阻测试仪 使 用 说 明 书 广州市昆德科技有限公司 1、概述 KDY-4型四探针电阻率/方阻测试仪（以下简称电阻率测试仪）是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。 本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率（电压表）的同时，另一块数字表（电流表以千分之二的精度）适时监测全程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，更及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些箔层材料时，在探头压触样品后再接通恒流源可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。仪器配置了本公司的专利产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。 2、测试仪结构及工作原理 测试仪主机由主机板、电源板、前面板、后背板、机箱组成。电压表、电流表、电流调节电位器、恒流源开关及各种选择开关均装在前面板上（见图2）。后背板上只装有电源插座、电源开关、四探针头连接插座、保险管（见图3）。机箱底座上安装了主机板及电源板，相互间均通过接插件联接。仪器的工作原理如图1所示： 图1电阻率测试仪方框图 测试仪的基本原理仍然是恒流源给探针头（1、4探针）提供稳定的测量电流I（由DVM1监测），探针头（2、3）探针测取电位差V（由DVM2测量），由下式即可计算出材料的电阻率： 厚度小于4倍探针间距的样片均可按下式计算 式中：V——DVM2的读数，mV。 I——DVM1的读数，mA。 W——被测样片的厚度值以cm为单位。 F（W/S）——厚度修正系数，数值可查附录2。 F（S/D）——直径修正系数，数值可查附录3。 Fsp——探针间距修正系数。 Ft——温度修正系数，数值可查附录1。 由于本机中已有小数点处理环节，因此使用时无需再考虑电流、电压的单位问题。 对厚度大于4倍探针间距的样片或晶锭，电阻率可按下式计算： ρ=2πSV/I （2） 这是大家熟悉的样品厚度和任一探针离样品边界的距离均大于4倍探针间距（近似半无穹大的边界条件），无需进行厚度、直接修正的经典公式。此时如用间距S=1mm的探头，电流I选择0.628；用S=1.59mm的探头，电流I选择0.999，即可从本仪器的电压表（DVM2）上直接读出电阻率。 用KDY-4测量导电薄膜、硅的异型外延层、扩散层、导电薄膜的方块电阻时，计身算公式为： R = V/I F(D/S) F(W/S)FSP 由于导电层非常薄故F(W/S)=1，所以只要选取电流 I=F(D/S) FSP, ，F(D/S)=4.532 测量时电流调节到04532，ρ/R选择在R灯亮 从KDY-4右边的电压表(DVM2)上即可直接读出扩散薄层的方块电阻R 。 备注：在测量方块电阻时ρ/R选择要在R，仅在电流0.1mA档时电压表最后一位数溢出（其它档位可以正常读数），故读数时需要注意，如电流在0.1mA档时电压表读数为0123，实际读数应该是01230.。 3、使用方法 （1）主机面板、背板介绍 仪器除电源开关在背板外其它控制部分均安装在前面板上，面板的左边集中了所有与测量电流有关的显示和控制部份，电流表（DMV1）显示各档电流值，电流选择开关（按钮）供电流选档用，～220V电源接通后仪器自动选择在常用的1.0mA档，此对1.0上方的红色指标灯亮，随着选择开关的按动，指示灯在不同的档位亮起，直选到档位合适为止。打开恒流源，上方指示灯亮，电流表显示电流值，调节粗调旋钮使前三位数达到目标值，再调细调旋钮使后两位数达到目标值。这样就完成了电流调节工作，此时我们可以把注意力集中到右边，面板的右边集中了所有电压测量有关的控制部件，电压表（DMV2）显示各档的正向、反向电压测量值。ρ/R键必须选对，否则测量值会相差数倍。 后背板上主要安装的是电源插座，图上都标得很清楚，安装时请注意插头与插座的对位标志。因为在背后容易漏插，松动时不易被发现，所以安装必须插全、插牢。 （2）使用仪器前将电源线、测试架联接线与主机联接好，并注意一下测试架上是否已接好探针头。电源线插头插入～220V座插后，开启背板上的电源开关，此时前面板上的数字表、发光二极管都会亮起来。探针头压在被测单晶上，打开恒流源开关，左边的表显示从1、4探针流入单晶的测量电流，右边的表显示电阻率（测单晶锭时）或2、3探针间的电位差。电流大小通过旋转前面板左下方的两个电位器旋钮加以调