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C、极限参数 1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 超过时集电结温升导致烧毁 PC = iC ? uCE。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 已知: ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V， 当 UCE = 10 V 时，IC mA 当 UCE = 1 V，则 IC mA 当 IC = 2 mA，则 UCE V 10 20 20 晶体管的主要参数 极限参数 PCM 、ICM 、UCEO 交流参数 、 、 直流参数 ICBO 、ICEO 、 光电三极管的等效电路、符号和外形 万用表检测晶体三极管的方法 1. 根据外观判断极性 3. 用万用表电阻挡测量三极管的好坏 PN结正偏时电阻值较小(几千欧以下) 反偏时电阻值较大(几百千欧以上) 指针式万用表 在 R?1k 挡进行测量 红表笔是(表内)负极 , 黑表笔是(表内)正极 注意事项: 测量时手不要接触引脚 ?1k B E C ?1k B E C 2. 插入三极管挡(hFE)，测量?值或判断管型及管脚 三、晶体三极管的选用 1. 根据电路工作要求选择高、低频管 2. 根据电路工作要求选择PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 应保证： 3. 一般三极管的 ? 值在40~100之间为好, 9013、9014等 低噪声、高? 的管子不受此限制….. 4. 穿透电流 ICEO越小越好，硅管比锗管的小 数字万用表 1. 可直接用电阻挡的PN结挡分别测量判断两个结 的好坏 注意事项: 红表笔是(表内)正极 , 黑表笔是(表内)负极 NPN和PNP管分别按EBC排列插入不同的孔 需要准确测量 ? 值时，应先进行校正 2. 插入三极管挡(hFE)，测量 ? 值或判断管型及管脚 PC PCｍ ICM ＩCｍ U（BR）CEO ＶCＣ （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。 1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge 1.17 电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取UCES＝UBE，若管子饱和，则 所以， 时， 管子饱和。 1.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？ 解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 当uI＝－5V时，晶体管饱和， uO＝0.1V。因为 1.19 分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能 五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V