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* 计算机硬件技术基础 第五章 内部存储器 5.1 存储系统概述 5.2 内部存储器的作用及其分类 5.3 半导体存储器的组成及工作原理 5.4 内存的工作模式及主流技术 5.5 内存的管理 计算机硬件技术基础 作业：1、2、3、4、5、7 计算机硬件技术基础 5.1 存储系统概述 存储系统是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。存储器可分为两大类：内部存储器和外部存储器 内部存储器↑ 外部存储器↓ 微机存储系统的层次结构 计算机硬件技术基础 5.2 内部存储器的作用及其分类 内存储器均为半导体存储器，外存储器有磁性存储器、光存储器和半导体存储器三种。 5.2.1 内存的主要作用 内存的作用： 运行程序； 暂存常用的程序、数据； 与外存储器、外设交换数据的缓冲存储。 中央 处理器 数据传输速度慢 数据传输速度快 内存储器 通过总线 通过接口 外存 储器 计算机硬件技术基础 半 导 体 存 储 器 随机存储器 (RAM: Random Access Memory) 只读存储器 (ROM: Read Only Memory) 闪烁存储器(Flash Memory) 动态存储器(DRAM) 静态存储器(SRAM) 可擦除可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 可编程只读存储器(PROM) DRAM: Dynamic RAM SRAM: Static RAM PROM: Programmable ROM EPROM: Erasable PROM EEPROM: Electrically EPROM 5.2.2 内存的分类 计算机硬件技术基础 5.2.3 内存的主要技术指标 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B 1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B 速度：读取时间=存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR(Memory Data Register)的输出端为止的时间，一般单位为ns(10-9秒)。 DRAM芯片：一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成的内存条(模块)：突发传送模式下读写速度可以达到2ns。如DDR400的极限速度为2.5ns。 SRAM芯片：几个~十几ns。 带宽：(存储器位数/8)X读取速度峰值，单位为MB/s。 计算机硬件技术基础 错误校验：内存在读写过程中检测和纠正错误的能力，常用的错误校验方式有Parity、ECC和SPD 奇偶校验(Parity)：每个字节增加一位，共9位，增加的一位由于奇校验或偶校验。只有检错能力。 ECC(Error Checking and Correcting)，一般每64位增加8位。由于差错控制。ECC的功能不但使内存具有数据检错能力，而且具备了数据纠错功能。 SPD(Serial Presence Detect串行存在探测)：用1个小容量EEPROM芯片，记录内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，以完成正确的硬件参数设置(如外频、读取时间、及各种延时)。 5.2.3 内存的主要技术指标 计算机硬件技术基础 5.3 半导体存储器的组成及工作原理 5.3.1 随机存储器RAM SRAM工作原理 SRAM基本存储电路单元：双稳态触发器 Q Q R S Q Q R S 　与非门特性 输入 输出 0　0　　1 0　1　　1 1　0　　1 1　1　　0 0/1 Q D ck 计算机硬件技术基础 D0~D7 0/1 Q0 D0 0/1 Q1 D1 0/1 Q2 D2 0/1 Q3 D3 0/1 Q4 D4 0/1 Q5 D5 0/1 Q6 D6 0/1 Q7 D7 ck 寄存器 5.3 半导体存储器的组成及工作原理 R/W E 使能 读/写 R/W D0~D7 E0 E1 E2 E3 存储阵列 计算机硬件技术基础 读出：置选择线为高电平，使T5和T6导通，从I/O线输出原存的信息。 写入：置选择线为高电平，使T5和T6导通，写入数据使I/O线呈相应电平。 A B T1 T2 T3 T4 T5 选择线 I/O I /O Vcc T6 实际的CMOS双稳态触发器：T1和T2构成触发器，T3和T4分别作为T1和T2的负载电阻。T1截止而T2导通时的状态称为“1”。相反的状态称为“0”。? 5.3 半导体存储