后摩尔定律时代SoCandSiP资料.pptVIP

2013-10-15 后摩尔定律时代：SoC and SiP 目 录 一、Moore’s Law More * Moore’s Law： 当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 但是，芯片上元件的几何尺寸能无限制地缩小下去吗？ 制约因素： * 后摩尔定律： 后摩尔定律除了会延续摩尔定律对集成度、性能的追求外，还会利用更多的技术，例如模拟/射频、高压功率电源、MEMS传感器、生物芯片技术及系统级封装(SiP)等三维(3D)集成技术，以提供具有更高附加价值的系统。 ITRS组织针对半导体产业近期(2007-2015年)和远(2016-2022年)的挑战，在技术路线制定上，提出选择两种发展式： 一、继续沿着摩尔定律按比例缩小的方向前进，专注于硅基CMOS技术; 二、按“后摩尔定律”的多重技术创新应用向前发展，即在产品多功能 化(功耗、带宽等)需求下，将硅基CMOS和非硅基等技术相结合，以提供完整的解决方案来应对和满足层出不穷的新市场发展。 图1：SoC与SiP的关系 * 二、SoC：System on Chip 芯片级系统片上系统 SOC是基于单芯片上完整系统，是的指在单一芯片上实现信号采集、转换、存储、处理 和I/ O 接口等功能。 即