长沟MOSFET的理论和直流特性.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * Pao-Sah exact模型 将（4）式的积分变量由距离改变为电势： 其中， 将上式代入（5）式，有： 上式即为著名的Pao-Sah模型。 * (6) Pao-Sah exact模型 为了获得一个统一的（同时适用于弱反型和强反型）解析表达式，将(5)式作变换： 表面势模型 反型电荷模型 * (7) (8) Contents 基本理论和工作原理 Pao-Sah exact I-V模型 集约表面势模型 电荷控制集约模型 面向设计的模型 MOSFET * 集约表面势模型 为了计算(7)式， 采用薄层电荷近似： 且 将上面两式代入(7),有： * (8) 集约表面势模型 将(8)式中的第二项改写为电荷密度的形式： 令 有： 故： * (9) 集约表面势模型 * 将(9)式积分，得到下面的Brew’s 电荷薄层模型： (10) (11) 集约表面势模型 * 源、漏极表面势 随有效栅压的变化 (b) 漂移和扩散电流 随有效栅压的变化 低栅压条件下，源漏端表面势相等，沟道等电势，扩散电流占主导； 在高栅压条件下，漂移电流占主导。 集约表面势模型 * (a)不同VDS下源、漏极表 面势随有效栅压的变化 (b) 沟道电流 随VDS的变化 低VDS条件下，漏极也处于强反型，源漏端表面电势差近似等于VDS，沟道电流随VDS线性增加，MOSFET可被看作一个栅压控制的电阻，所以称为线性区或欧姆区； 在高栅压条件下，漏极开始变成弱反型，漏极表面势被钉扎在一个与VDS无关的值，从而漏极电流也与VDS无关，亦即，达到饱和。 线性表面势模型 利用Taylor展开，(10)式和(11)式改写为： 其中， 选 得： * * * * * * * * * Content Layouts * * * * * * * * * * * * * * * LOGO 长沟MOSFET的理论和直流特性 梁斌 计算机学院微电子所 * Contents 基本理论和工作原理 Pao-Sah exact I-V模型 集约表面势模型 电荷控制集约模型 面向设计的模型 MOSFET * MOSFET发展简史 直流特性的建模始于1960年现代硅工艺MOS晶体管的出现。随后，在1964年首次有文献描述了经典的阈值和强反型（SI）理论。在SI情况下，只考虑漏极电流的漂移电流部分。在60年代工艺条件下，强反型模型是精确的，与此同时，用于计算机电路模拟的集约模型也发展起来。1970年出现了完备的SI理论。到70年代，由于低功耗电路的发展，人们开始探究亚阈值和弱反型（WI）工作模式。1972年，出现了第一篇亚阈值幂指数律的论文。相对于强反型，弱反型模型只考虑扩散电流部分。 MOSFET发展简史 第一个适用于所有工作区的MOSFET理论是Pao-Sah drift-diffusion double-integral model。Pao-Sah模型中的漏极电流通过沿反型层厚度和沟道长度两个方向二重积分得到。由于二重积分的存在， Pao-Sah模型不能称之为集约模型。不过，Pao-Sah模型的高度物理精确性使它成为衡量集约MOSFET模型精度的“黄金”参考。 第一个真正意义上的集约模型出现于1978年。这个模型中，使用表面势作为关键变量，这意味着，所有MOSFET的特性表达式是表面势的函数。 Brews’ charge-sheet approximation，即电荷薄层近似理论，假设反型层无限薄，但是它与Pao-Sah 模型的关系还不够明朗。 与此同时，Baccarani的研究颇有成效，但是由于最终表达式过于复杂，学术界公认Brews的近似理论为更好的选择，并且Brews被认为是电荷薄层模型的创始人。 到了1979年， Pao-Sah， Brews与Baccarani模型之间的联系建立起来，这一理论称为电荷薄层模型，并且采用严格的解析表达式。 MOSFET发展简史 对于SPICE模型来说，在当时的年代，表面势模型和电荷薄层模型过于复杂，因此通常采用阈值电压模型并一直延续到最近。早期的SPICE MOSFET模型是分段的，对不同的工作区采用不同的表达式。 稍后的模型利用数学方法实现了不同工作区间的连续性。但是，这种方法在过渡区精度不够高，只是广泛适用于低电源电压电路。 尽管基于VT的模型有其局限性，但它仍成功应用在很多电路设计工作中。BSIM4和MOS Model 9是基于阈值电压模型的现代版本。 最终在80年代，将电荷控制模型引入到集约模型中，来使用一个方程描述所有工作区的直流和小信号特性。 MOSFET发展简史 * MOS