双极型晶体管及放大电路基础ch2_2_circuits.pptVIP

2.2.1 放大的概念 一、计算法 二、图 解 法 上节课回顾 输入输出曲线 基本放大器、主要指标 静态分析 要想获得大的不失真输出幅度，需要： 1）等效电路 上节课回顾 直流通路和交流通路 交流小信号等效模型 三种基本放大器主要指标的计算 2.6 基本要求与小结 掌握放大电路的静、动态分析 静态：两种直流偏置电路（固定式、分压式） 用 计算法 求 Q(IB、IC和VCE) 动态：三种组态放大电路 用 小信号等效电路法 求 理解图解法 晶体管是NPN还是PNP? ube对ib的控制，等效为b-e间交流结电阻rbe，其值： ube 通过 ib对 ic的控制可等效为一个流控电流源 或直接用一个压控电流源来表示 其中跨导 几百KΩ数量级 —输入特性上Q点处 对 的影响 极大，可忽略 — 输出特性上Q点处切线斜率之倒数,表明了 对 的影响 βIB 真正的晶体管还有寄生效应的影响，它们是三个 掺杂区的体电阻,其中基区体电阻因该区很窄， 数值较大，一般高频管数十Ω，低频管数百Ω。 另二个较小，可忽略。 还有二个结的结电容：发射结电容（正偏势垒） 集电结电容（反偏扩散）低频工作时可忽略。 完整的混合π型电路模型 （a）高频时的电路模型；（b）低频时的电路模型 （2） 共射放大器的交流等效分析方法 分析步骤： 1、确定放大器交流通路(晶体管用小信号交流模型表示) 2、估算直流工作点 3、根据交流等效电路计算放大器的各项交流指标 (b) 小信号等效电路 (a) 共射基本放大电路 2）交流计算 3.输出电阻 2.输入电阻 = rbe // Rb≈rbe 1.电压放大倍数 rbe=rb’b+(1+β)26 mV/ ICQ 4.源电压放大倍数 rb’b=100~300Ω 3）接有Re的共发电路 3.输出电阻 2.输入电阻 1.电压放大倍数 交流小信号等效电路 2.4 共C和共B电路 2.4.1 共集组态基本放大电路 Common-Collector Amplifier 2.4.2 共基组态基本放大电路 Common-Base Amplifier 2.4.3 提高输入阻抗的措施 2.4.1 共集组态基本放大电路 VB= VCC Rb2/(Rb1 + Rb2) IC=IE = (VB － VBE)/Re IB = IC/ ? VCE= VCC－IERe= VCC－ICRe (1)直流分析 (2)交流分析 ①电压放大倍数 ②输入电阻 Ri=Rb1// Rb2 //[rbe +(1+? )RL )] ③输出电阻 共集电路特点与应用： 1、 =射极输出器=电压跟随器 Emitter-Follower =电流放大器 2、Ri 高（高阻输入级） 3、Ro低（低阻输出级） 阻抗变换级 （中间缓冲级） 2.4.2 共基组态基本放大电路 （电流跟随器） (1)直流分析 与共射组态相同 (2)交流分析 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 Ro ≈RC =βRL / rbe RL=RC//RL 共基电路特点与应用： 1、 大 2、输入输出电压同相 2、Ri 低（低阻输入级） 3、Ro高（高阻输出级） 宽带放大 高频电路 共射、共基、共集放大器性能比较 βIB 3.输出电阻 2.输入电阻 = rbe // Rb≈rbe 1.电压放大倍数 rbe=rb’b+(1+β)26 mV/ ICQ Ri Ro ①电压放大倍数 ②输入电阻 Ri=Rb1// Rb2 //[rbe +(1+? )RL )] Ri ③输出电阻 Ro ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 Ro ≈RC =βRL / rbe RL=RC//RL 共射、共基、共集放大器性能比较 2.4.3 提高输入阻抗的措施 利用复合管来提高输入阻抗 ----使β上升 T2相当于T1的负载，可用其输入 电阻Ri来表示它对T1的负载作用 可见 复合管的输入电阻增大了. 复合管可等效成一个β值为 两管β相乘的晶体管。 2. 自举电路 采用复合管可使Ri很大 但总的输入电阻Ri=RB1//RB2//Ri 若RB1,RB2不能增大，Ri再大也无用， 而实际中为保证偏置稳定， RB1,RB2的取值是不能太大的