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表1　合成的不同聚硅烷的固化比较 合成方法 PS的类型 质量保留率 PS PS+DVB（1/0.5） 电化学合成法 含双键的PS 97.1% 96.2% 由MTS合成的PS 66.1% 76.7% 含Si-H的PS 68.1% 72.2% Wurtz法 含Si-H的PS 40% 84.1% 注：固化条件200℃，3小时。 表2　合成的不同聚硅烷的陶瓷产率比较 合成方法 PS的类型 陶瓷产率 PS PS+DVB（1/0.5） 电化学合成法 含双键的PS 81.5% 48% 由MTS合成的PS 70% 40% 含Si-H的PS 69-73% 41-59% Wurtz法 含Si-H的PS 30~50% 47% 注：裂解条件1300℃，Ar气保护。 制备C/C-SiC工艺路线 C/C PS C/C＋PS C/C-SiC 真空浸渍 交联固化 预裂解体 高温裂解 多次浸渍裂解，材料致密化 O2 H2 H2-O2火焰烧蚀装置示意图 图2 C/C和C/C-SiC复合材料的线烧蚀率 （C/C经多次浸渍含双键聚硅烷） 图3 C/C和C/C-SiC复合材料的质量烧蚀率 (a) C/C-SiC specimen at density 1.46 (b) C/C-SiC specimen at density 1.70 (c) C/C specimen at density 1.29图1 C/C-S