IC模拟版图设计摘要.ppt

4.2 寄生电容 4） 特定的工艺中，随着金属层次越高，最小宽度越大。 M1离衬底最近，单位面积电容越大。M4走供电总线，M3用作二级供电，如下图所示M2的寄生电容最小。 根据设计要求选择最小寄生电容层次 当层次离衬底越来越远时单位面积的电容越来越小，但最小宽度却在增大。 4.2 寄生电容 4.2.1 减小寄生电容的方法 寄生电容＝金属线宽×金属长度×单位面积电容 1）敏感信号线尽量短 2）选择高层金属走线 最高层金属，离衬底最远，单位面积电容最小 3）敏感信号彼此远离 4）不宜长距离一起走线 5）电路模块上尽量不要走线 6）绕开敏感节点 4.3 寄生电阻 1）每根金属线都有寄生电阻（对于版图电流超过0.5mA就应该留意它的线宽、drop的影响） 2）如下图：我们希望这根导线能承载1毫安的电流，金属最小宽度是2um，当电流流过这一长导线时，它上面的压降是多少？电路要求10mv的电压降？如何改进？ 2.1）IR Drop一般不要超过10mv，这意味着导线增加5倍。 3）电源布线时尤其要注意 金属层是每方块50毫欧=0.05欧 长/宽=方块数 4）可以根据19毫安的总电流来确定整条导线的尺寸。对 这条导线采用每微米0.5毫安，需要的导线宽度为38微米才可靠。（用总电流安培数除以每微米安培数19/0.5） 沿整条