第二章电力电子器件摘要.ppt

2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.4 本章内容和学习要点 2.2 不可控器件——电力二极管 主要指其伏安特性 门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。 与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 2) 动态特性 ——二极管的电压-电流特性随时间变化的 ——结电容的存在 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成 有两个主电极T1和T2，一个门极G 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（Solid State Relay——SSR）和交流电机调速等领域应用较多 通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 IGBT是半导体行业的明星，其作为自动控制和功率变换的关键核心部件，广泛应用于航空航天、新能源、轨道交通、工业变频、智能电网等先进制造领域。采用IGBT器件进行功率变换，能够提高用电效率，实现30至40%的节能效果。此外，IGBT还是实现能源转换的关键元件，光伏、风电并网发电的关键设备——逆变器中均含有IGBT模块。 ton = td(on) + tr 关断延迟时间td(off) 从脉冲电压up下降到零时，栅极输入电容Cin通过信号源内阻RG ( 》RS )和栅极电阻开始放电，栅极电压uGS按指数曲线下降，下降到uGSP时，漏极电流iD开始减小的这段时间 开通延迟时间td(on) 从uP前沿时刻到 uGS = UT 并开始出现 iD的这段时间 toff = td(off) + tf 上升时间tr uGS从开启电压上升到MOSFET进入非饱和区的栅压uGSP的时间 下降时间tf Cin继续放电，uGS从继续下降，iD减小，到 uGS UT 时沟道消失，iD下降到零的时间 MOSFET关断时间toff MOSFET开通时间ton 3. 开关特性 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度 只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 漏极电压UDS 电力MOSFET电压定额参数 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 电力MOSFET电流定额参数 栅源电压 UGS ︱UGS ︱20V将导致绝缘层击穿 极间电容 漏源极短路时的输入电容：Ciss = CGS + CGD 反向转移电容： Crss = CGD 共源极输出电容： Coss = CDS + CGD 漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定电力 MOSFET的安全工作区。 电力MOSFET不存在二次击穿。 4. 主要参数 跨导Gfs、 应用特点： （1）由于功率MOSFET是单极型场控器件，不像GTR那样具有载流子的存储效应，因而通态电阻较大，饱和压降也较高，使导通损耗大。 （2）其开关速度快，开关时间在10~100ns之间，工作频率最高，工作频率可达100kHz以上，是各种电力电子器件中较高的。 （3）功率MOSFET属电压控制型器件，在静态时几乎不需输入电流，因此它需要的驱动电路简单、驱动功率最小。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 另外，无二次击穿问题、安全工作区宽。但器件容量小，比GTR小。 在开关电源、小功率变频调速等电力电子设备中具有其他电力电子器件所不能取代的地位。 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 2.4.4 绝