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* 某半导体存储器容量15K×8位,其中固化区8K×8,可选EPROM芯片为4K×8/片；可随机读写区7K×8,可选SRAM芯片有：4K×4/片,2K×4/片,1K×4/片。地址总线A15～A0(低),双向数据总线D7～D0(低),R/W控制读写。请设计并画出该存储器逻辑图,注明地址分配,片选逻辑式,片选信号极性（高/低电平有效）等。 * 解： 芯片数量： 固化区8K×8,需要4K×8/片EPROM芯片2片 可随机读写区7K×8,需要4K×4/片SRAM芯片2片,2K×4/片SRAM芯片2片,1K×4/片SRAM芯片2片。 存储空间分配： 4K×8EPROM 0000（H）－0FFF（H） 4K×8EPROM 1000（H）－1FFF（H） 2片4K×4SRAM 2000（H）－2FFF（H） 2片2K×4SRAM 3000（H）－37FF（H） 2片1K×4SRAM 3800（H）－3BFF（H） * 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 A13 A12A11 A10 A9 A8 A7 … A4 A3 … A0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 8K × 8位 固化区 7K × 8位 随机读写区 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 … 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 … 4K × 8位 4K × 8位 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 … 4K × 8位 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 … 2K × 8位 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 … 1K × 8位 * 地址信号与片选逻辑 片内地址 片选信号 片选逻辑 4K ×8 A11-0 CS0 A13A12 4K ×8 A11-0 CS1 A13A12 4K ×8 A11-0 CS2 A13A12 2K ×8 A10-0 CS3 A13A12A11 1K ×8 A9-0 CS4 A13A12A11A10 * 存储器逻辑图 *
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