全控器件和其他新型器件技术分析.pptVIP

1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图1-19 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 E 1.3 典型全控型器件 1.3.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT） N沟道MOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，从而具有电导调制效应，具有很强的通流能力。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。 1.3 典型全控型器件 1.3.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT） E ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通(电压驱动功率小)。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 IGBT的原理 1.3 典型全控型器件 1.3.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT） a) b) O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 I C U GE(th) U GE O I C U RM U FM U CE U GE(th) U GE 增加 2. IGBT的基本特性 (1)?IGBT的静态特性 图1-20 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 1.3 典型全控型器件 1.3.4 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 与MOS管的异同点。 t t t 10% 90% 10% 90% U CE I C 0 O 0 U GE U GEM I CM U CEM t fv1 t fv2 t off t on t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r U CE(on) U GEM U GEM I CM I CM 图1-21 IGBT的开关过程 IGBT的开通过程?????? 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOS单独工作的电压下降过程； (2)???IGBT的动态特性 1.3 典型全控型器件 tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 uGE在密勒平台区快速减小 1.3.4 绝缘栅双极晶体管 图1-21 IGBT的开关过程 关断延迟时间td(off） 电流下降时间 关断时间toff 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。 tfi1——IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快。 tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。拖尾电流。 IGBT的关断过程 t t t 10% 90% 10% 90% U CE I C 0 O 0 U GE U GEM I CM U CEM t fv1 t fv2 t off t on t fi1 t fi2 t d(off) t f t d(on) t r U CE(on) U GEM U GEM I CM I CM 1.3 典型全控型器件 uGE在密勒平台区快速增加 3) IGBT的主要参数 ——正常工作温度下允许的最大功耗 。 (3) 最大集电极功耗 PCM ——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 (2)? 最大集电极电流 ICM ——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 (1) 最大集射极间电压 UCES 1.3 典型全控型器件 (4) 最大栅极电压UGS —— ?UGS?20V将导致绝缘层击穿 。 1.3.4 绝缘栅双极晶体管 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： 开关速度高，开关损耗小。 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且 具有耐脉冲电流冲击能力。 通态压降比VDMOSFET低。 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 1.3 典型全控型器件 1.3.4 绝缘栅双极晶体管 1. 4 其他新型电力电子器件 1.4.1 MOS控制晶闸管MCT 1.4.2 静电感应晶体管SIT 1.4.3 静电感应晶闸管SITH 1.4.4 集成门极换流晶闸管IGCT 第一章 电力电子器