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* 3.4 半导体分立器件 3.4.1 半导体分立器件的型号命名方法 　　半导体器件的命名由五部分组成，例如，2AP9中“2”表示二极管，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“9”表示序号。又如3DG6中“3”表示三极管，“D”表示NPN硅材料，“G”表示高频小功率管，“6”表示序号。 半导体器件的命名方式 第一部分 数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼) 电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 A — 锗材料 N 型 B — 锗材料 P 型 C — 硅材料 N 型 D — 硅材料 P 型 A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN P — 普通管 W — 稳压管 Z — 整流管 K — 开关管 U — 光电管 X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管 第四部分 第五部分 例： 2CP 2AP 2CZ 2CW 普通硅二极管 普通锗二极管 硅整流二极管 硅稳压二极管 二极管的一般符号 二极管的符号 发光二极管 稳压二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管 ? 温度效应 二极管 t o ? 双向击穿二极管 磁敏二极管 体效应二极管 双向二极管 交流开关二极管 3.4.2 二极管 二极管的特性 1. 普通二极管的特性 2. 稳压二极管的特性 3. 发光二极管的特性 4. 光电二极管的特性 5. 变容二极管的特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 iD / mA uD / V iD / mA uD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 硅二极管 的特性 锗二极管 的特性 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C 温度对二极管 特性的影响 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 稳压二极管的特性 工作条件：反向击穿 发光二极管的特性 u /V i /mA O 2 工作条件：正向偏置 工作电流 : 几毫安 ~几十 毫安 导通电压 : ( 1 ? 2) V u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 光敏二极管的特性 u C j O PN 结势垒电位差 变容指数 突变结 ? 1/2 缓变结 ? 1/3 超突变结 1/2 ? 6 工作条件： 反向偏置 变容二极管的特性 二极管的识别和检测 1. 目测判别极性 2. 用万用表检测二极管 (1)　用指针式万用表检测。 (2) 用数字式万用表检测。 3. 用万用表检测稳压二极管 1. 目测判别极性 触丝 半导体片 3. 用万用表检测稳压二极管 稳压二极管的外型与普通二极管相似，极性判断方法与普通二极管相同。 稳压值的判断： 0~30V 连续可调 直流稳压电源 v 1.5 k? 被测管 + - + - 　　3．二极管的选用 　　(1) 根据具体电路要求选用不同类型及特性的二极管。如检波电路中选用检波二极管，稳压电路中选用稳压二极管，开关电路中选用开关二极管，并且要注意不同型号的管子的参数和特性差异。如整流电路中选用的整流二极管，不但要注意其功率的大小，还要注意工作频率和工作电压等。 　　(2) 在选好类型的基础上，要选好二极管的各项主要参数，要特别注意不同用途的二极管对哪些参数要求更严格，如选用整流管时要特别注意最大工作电流不能超过管子的额定电流。在选用开关二极管时，开关时间很重要，而这个主要由反向恢复时间来决定。 　　(3) 根据电路要求和电路板安装位置，选好二极管的外形、尺寸大小和封装形式。如外形有圆形的、方形的、片状的、小型的、中型的等。封装形式有全塑封装、金属外壳封装、玻璃封装等。 * * 晶体二极管 整流二极管、开关二极管、检波二极管、变容二极管、稳压二极管、阻尼二极管、