半导体材料解读.ppt

Chapter2 Inorganic Functional Materials Science 2.1 Semiconductor Materials 2.1.1 半导体材料概述 2.1.2 半导体材料相关理论基础 2.1.3 半导体材料晶体结构 2.1.4 典型半导体材料及应用 热磁效应(Thermomagnetic effect) ：当电场和温度梯度同时存在时，再加上磁场所引起的现象。 爱廷豪森效应：当半导体受到电场和与之相垂直的磁场的作用时，在垂直于前两者方向产生温度梯度，并由此产生电位差的现象。 能斯脱效应：当半导体x方向存在温度梯度，在z方向加磁场，当x、y方向的电流等于零时，在y方向产生电场的现象。 里纪-勒杜克效应：当半导体x方向存在温度梯度，在z方向加磁场，在y方向产生温差效应，又引起温差电势的现象。 1. Diamond Type Structure 实例： Si、Ge、灰Sn 属立方晶系，C的配位数为4，每个晶胞中共有8个C原子，分别位于立方面心的所有结点位置和交替分布在立方体内8个小立方体中的4个小立方体的中心，C-C之间以共价键结合。 2.1.3 半导体的晶体结构 2.闪锌矿型结构（Zinc Blende Structure） 也称立方ZnS型结构。正负离子配位数均为4，负离子 按面心立方排列，正离子填入半数的四面体间隙位（面 心立方晶格有8个四面体空隙，其中4个填入正离子）， 同样形成正离子的面心立方阵列，正负离子的面心立方 互相穿插。其结果是每个离子与相邻的4个异号离子构成 正四面体。 Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAs,InSb,GaP Ⅱ-Ⅵ族化合物 CdTe,ZnSe,HgSe Ⅳ-Ⅳ族 SiC 化学键主要是共价键，同时有离子键，为混合键。 4. ZnS型结构 也称六方ZnS结构，是闪锌矿的同素异构体，化学键性质 相同。由两种不同元素的原子晶格适当错位套构而成，具 有六方对称性。 Ⅲ-Ⅴ族化合物 BN,GaN,InN Ⅲ-Ⅵ族化合物ZnO,ZnS,CdS,HgS 3.纤锌矿结构 wurtzite structure 4. 氯化钠型结构（Rock salt Structure） 负离子按面心立方排列；正离子处于八面体间隙位，同 样形成正离子的面心立方阵列 ； 正负离子的配位数都 是6。化学键为离子键。 实例： CdO, PbS,PbSe, PbTe, SnTe 电导率和霍尔系数R的关系式 式中，μH为霍尔迁移率，与电导迁移略有差别。 晶格散射： 电离杂质散射： 金属或高载流子 浓度的半导体： 它是指“纯净”的没有掺入杂质的半导体。常温下，它有微弱的导电能力，其中载流子由本征热激发产生。 （4）本征半导体 半导体材料大部分是共价键晶体，价电子最有可能成为载流子，但它束缚于共价键之中，只有热运动使价电子获得能量，足以冲破共价键的束缚时它才可能成为自由电子，参加运载电荷，这一过程称为本征激发。 共价键 本征热激发 自由电子是带负电的载流子。当价电子变为自由电子时，必然留下一个空位，使其它价电子也有可能参加导电，称空位为空穴，空穴带正电荷。 本征半导体的热激发将产生两种类型的载流子，即自由电子与空穴，它们数目接近，常称为“电子-空穴对”。 图中小圆圈表示空穴，实心小黑圆点表示价电子。 E是外电场方向，Ip就是空穴电流方向 空穴的导电过程 空穴的导电过程，实际上是价电子在电场作用下，不断递补空位的过程。 （5）杂质半导体 在本征半导体中，掺入即使是极微量的其他元素（统称为杂质），其导电性能将大大增强。 例如掺入0.0001%杂质，半导体导电能力将提高106倍！ 五价元素 磷（P） 锑（Sb） 砷（As） 三价元素 硼（B） 铝（Al） 铟（In） 镓（Ga） 在纯净半导体单晶中用人工的方法掺入少量特种元素，就获得杂质半导体，晶体管就是由杂质半导体制成的。 除了本征激发能产生载流子，掺杂质也能产生载流子，但并不成对出现。 两种类型的杂质 N型半导体 本征半导体+五价元素(施主杂质) 本征半导体掺入五价元素后，四价的半导体原子被杂质原子代替，五价元素最外 层有5个价电子，其中4个用来与周围原子结合成共价键，多余的一个，因不在共价键中，所受束缚很小，常温下，即可脱离原子束搏成为自由电子。 ①施主杂质仅施放电子，不产生空穴。因为4个共价键中所有8个位子被价电子填满没有空位。 ②施主原子失去一个价电子后，自己成为带正电荷的离子，这 称为 “杂质电离”。杂质离子束缚于共价键之中不能自由移动， 故不参加导电。 P型半导体 本征半