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-----陈德根 三极管及其控制电路 1 音频信号放大电路 3 三极管及其放大电路 2 集成运算放大器及其应用 4 学习目标: 知识目标 1.了解三极管的结构及分类; 2.理解三极管的电流放大特性; 3.理解三极管的特性参数。 能力目标 1.掌握万用表检测三极管的方法; 2.掌握三极管工作状态的分析方法; 3.了解三极管的命名和标示方法。 什么是三极管?其内部结构是怎样的? 1 三极管如何分类?其外形和封装是怎样的? 2 三极管的工作原理是怎样的? 3 任务二 硅三极管和锗三极管的对比。 4 引导问题: 三极管的特性曲线是怎样的? 5 三极管有哪些特性参数? 6 三极管是如何命名和标示的? 7 如何判别三极管管型和管脚? 8 拓展:晶体管开关电路的应用。 9 硅三极管和锗三极管的对比。 三极管的主要参数 1.电流放大倍数 2.极限参数 ①集电极最大允许电流ICM UCE / V IC /mA 0 IB=0 4 3 2 1 1.5 2.3 ②反向击穿电压U(BR)CEO c e b UCC U(BR ) CEO 基极开路 指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压。 使用中若超过此值,晶体管的集电结就会出现击穿。 Β值的大小反映了晶体管的电流放大能力。 ICICM时,晶体管不一定烧损,但β值明显下降。 ③集电极最大允许功耗PCM 晶体管上的功耗超过PCM,管子将损坏。 安 全 区 硅三极管和锗三极管的对比。 3.极间电流 ①集电极-发射极反向饱和电流ICEO(穿透电流) 指基极开路时,集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。该值越小越好。 ②集电极-基极反向饱和电流ICBO,是少数载流子漂移运动的结果,其值越小越好。 3.发射结死区电压 锗管为0.2~0.3V,硅管为0.6~0.8V 硅三极管和锗三极管的对比。 例1: 用直流电压表测得放大电路中晶体管T1各电极的对地电位分别为V1 = +10V,V2= 0V,V3= +0.7V,如图(a)所示, T2管各电极电位V1 = +0V,V2= -0.3V,V3= -5V,如图(b)所示,试判断T1和T2各是何类型、何材料的管子,x、y、z各是何电极? 2 3 2 1 T1 3 1 T1 (a) (b) 解: 工作在放大区的NPN型晶体管应满足VCVB VE ,PNP型晶体管应满足VCVB VE,因此分析时,先找出三电极的最高或最低电位,确定为集电极,而电位差为导通电压的就是发射极和基极。根据发射极和基极的电位差值判断管子的材质。 硅三极管和锗三极管的对比。 (1) 在图(a)中,3与2的电压为0.7V,可确定为硅管,因为V1V3 V2,,所以1为集电极,2为发射极,3为基极,满足VCVB VE,的关系,管子为NPN型。 (2)在图(b)中,1与2的电压为0.3V,可确定为锗管,又因V3V2 V1,,所以3为集电极,1为发射极,2为基极,满足VCVB VE的关系,管子为PNP型。 2 3 2 1 T1 3 1 T1 (a) (b) V1 = +10V,V2= 0V,V3= +0.7V V1 = +0V,V2 = -0.3V,V3= -5V 三极管的特性曲线是怎样的? 三极管的特性曲线 所谓伏安特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线,是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看,外部特性更为重要。 (1) 输入特性曲线 以常用的共射极放大电路为例说明( UCE为常数时,IB和UBE之间的关系) UCE=0V UBE /V IB /?A 0 UCE =0V UBB UCC RC + + RB 令UBB从0开始增加 IB IE=IB UBE 令UCC为0 UCE=0时的输入特性曲线 UCE为0时 三极管的特性曲线是怎样的? UCE =0.5V UCE=0V UBE /V IB /?A 0 UBB UCC RC + + RB 令UBB重新从0开始增加 IB IC UBE 增大UCC 让UCE=0.5V UCE =1V UCE=0.5V UCE=0.5V的特性曲线 继续增大UCC 让UCE=1V 令UBB重新从0开始增加 UCE=1V UCE=1V的特性曲线 继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值,结果发现:之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同,曲线基本不 再变化。 实用中三极管的UCE值一般都超过1V,所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出,双极型三极管的输入特性与二极管的
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