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1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain) 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley)1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley)  1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司（TI） 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学 高鼎三） 1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 3.1双极结型晶体管的结构 光刻硼扩散窗口 3.1双极结型晶体管的结构 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 3.2.1共基极连接晶体管的放大作用 3.2基本工作原理 3.2.2电流分量 3.2基本工作原理 3.2.2电流分量 3.2基本工作原理 为描述晶体管的增益特性引进以下物理量 发射极注射效率 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 3.2基本工作原理 学习要求 掌握四个概念：发射效率、基区输运因子、共基极电流增益、共发射极电流增益 掌握BJT的四种工作模式。 画出BJT电流分量示意图，写出各极电流及其相互关系公式。 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 （1）各区杂质都是均匀分布的，因此中性区不存在内建电场； （2）结是理想的平面结，载流子作一维运动； （3）横向尺寸远大于基区宽度，并且不考虑边缘效应，所以载流 子运动是一维的； （4）基区宽度远小于少子扩散长度； （5）中性区的电导率足够高，串联电阻可以忽略，偏压加在结空间电荷区上； （6）发射结面积和集电结面积相等； （7）小注入，等等 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 中性基区（0? ? ）少子电子分布及其电流： 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 1.电子电流 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 2.发射区少子空穴分布及其电流： 边界条件： 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 若 ?? ，（3-23a）式可以写作： 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 3.集电区少子空穴分布及其电流 边界条件： 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 3.3.2正向有源模式 1.少数载流子分布 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 3.电流分量 1)发射区和收集区电子电流： 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 2)发射区和收集区空穴电流 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 4.晶体管的输出特性曲线 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 5.共发射极电流增益 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 共发射极电流增益与工作电流的关系 3.3理想双极结型晶体管中的电流传输 学习要求 导出基区输运因子表达式 理解理想双极结型晶体管的基本假设及其意义。 写出发射区、基区、集电区少子满足的扩散方程并解之求出少子分布。 掌握公式（3-19）、（3-20）。这两个公式有什么样的对称关系？ 掌握正向有源模式基区输运因子公式。 掌握正向有源模式基区电子电流公式（3-28）、（3.29）、（3-31）。 解释图3-12、图3-13。 3.4爱伯斯-莫尔方程 3.4爱伯斯-莫尔方程 3.4爱伯斯-莫尔方程 （在电路分析中，不考虑（3-19）式和（3-24）式中的负号）。 3.4爱伯斯-莫尔方程 暂时把发射结空间电荷区复合电流看作是外部电流，则 3.4爱伯斯-莫尔方程 爱伯斯—莫尔模型的等效电路图 3.4爱伯斯-莫尔方程 根据图3-15C可以写出 3.4爱伯斯-莫尔方程 将（3-48）式与（3-40）式比较，（3-49）式与（3-42）式比较，得到 3.4爱伯斯-莫尔方程 以上讨论的E-M方程，只是一种非线性直流模型，通常将它记为 模型。在 模型的基础上计及非线性电荷贮存效应和欧姆电阻，就构成第二级复杂程度的 模型。第三级复杂程度的 模型则还包括多种二级效应，如基区宽度调制，基区展宽效应以及器件参数随温度的变化等等。 3.4爱伯斯-莫尔方程 了解E－M方程中四个参数的物理意义 根据E－M方程写出四种模式下发射极电流和集电