半导体物理02.pptVIP

本章小结 能带、半导体、载流子、空穴、空带、满带、导带、价带、本征激发、禁带宽度、导带底、价带顶、有效质量、有效质量的意义、电子有效质量 K空间、布里渊区、椭球等能面 回旋共振、纵向有效质量、横向有效质量 能带结构：硅的能带结构、锗的能带结构、砷化镓的能带结构 * * 导带底不在k=0处的一般情况 * ml为纵向质量，椭球长轴方向的质量；mt为横向质量，椭球短轴方向的质量 * 111方向有8个对称的方向 * E-k关系曲线在k坐标系中是对称的，因此负半轴的信息可以完全由正半轴得出。于是就将[100]方向的图形绘制在通常意义的+k轴上，而将[111]方向的图形绘制在指向左边的k轴上。对于金刚石或闪锌矿类型的晶格来说，价带的最大能量和导带的最小能量会出现在k=0处或沿着这两个晶向之一的方向上。 * 理论计算及对p型样品的实验结果指出，硅和锗的价带结构十分复杂。作为一般性的了解，只需记住：硅和锗的价带顶都位于布里渊区的中心，有两条能带在k=0处简并。两条E(k)曲线在这里的曲率不相等，表明有两种有效质量不同的空穴，即重空穴 (mp)h 和轻空穴 (mp)l。价带附近的等能面虽然以布里渊区的中心为中心，但并非球对称，而呈瘪球形，且重空穴的等能面比轻空穴扭曲更严重，有较强的各向异性。 * 人们已利用混合晶体的禁带宽度随组分变化的特性制备发光或激光器件。 * 禁带1.8V以上可发射可见光。 一、自由空间的电子: §1.3半导体中电子和空穴的有效质量 从粒子性出发,它具有一定的质量m0和 运动速度V,它的能量E和动量P分别为: 从波动性出发,电子的运动看成频率为?、波矢为K的平面波在波矢方向的传输过程. * 二、半导体中的电子: 假设E（0）为带顶或带底，将E（k）在k=0附近展成泰勒级数： 对于给定的半导体,此为定值 在 K=0附近,此值为0 mn*：电子有效质量 * (1)对于能带顶的情形，由于E（k）E(0),故 mn*0; (2)对于能带底的情形，由于E（k） (0), 故mn*0. 由波粒二象性可知，电子的速度v与能量之间有 * 称m*为电子的有效质量 F外 + F内 = m0a F外 = m*a 有效质量的意义 有效质量概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 导带低附近 价带顶附近 * m*的特点 1.决定于材料 2.与电子的运动方向有关 3.与能带的宽窄有关 内层:带窄, 小,m*大: 外层:带宽, 大,m*小. 因而，外层电子在外力作用下可以获得较大的加速度。 电子能量 空穴能量 * 带顶、带底附近， m*近似为常数；这正是我们所关心的。 带底 m*0 ; 带顶 m*0 ； 带顶、带底附近，E-k 关系曲率大的m*小；曲率小的m*大； m*的值由该状态下的 E-k 关系决定。 * 满带：电子数=状态数 对电流无贡献 不满带： 价带：电子数空态数 导带：电子数空态数 不满带 对电流有贡献 不满带中 的电子 电流 ○ ● EC EV 电子少 电子多 导带 价带 * 满带 Eg 空穴: 当价带顶附近一些电子被激发到导带后，价带中就留下一些空状态. 价带内ke态空出时，价带的电子产生的总电流，就如同一个带正电荷q的粒子以ke状态的电子速度v（ke）运动时所产生的电流。称这个带正电的粒子为空穴。 * 引入空穴概念的意义：用少量空穴的运动等效价带中大量电子的集体运动，从而使问题变为和处理导带电子的导电问题一样简单。 半导体中有两种载流子：电子和空穴 半导体中的电流： 电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 * 能带结构即E～k关系，它决定了速度v 和有效质量m*，直接影响材料的性质。 给出几个主要方向上的E～k关系； 借助等能面来反映E～k关系。 实际晶体的E～k关系十分复杂，而三维图像不能反映E和三维的 k 的关系。所以通常采用如下二种办法： 只要知道m*，就知道带顶、带底附近的能带结构了。m*通过回旋共振实验测得。 * §1.4几种常见半导体的能带结构 三维空间：k2=kx2+ky2+kz2 能带极值在K0处 能量E在极值点k0附近的展开 * 各向同性的晶体，等能面是一系 列的球面. 晶体大部分是各向异性的，不 同方向的有效质量不同，等能 面是椭球面。 * ● ko kx ky kz 只要知道m*，就知道带顶、带底附近的能带结构了。m*通过回旋共振实验测得。