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晶片的應用特點簡介(AS/TS/GB/MB/TB…) 前言 AS 晶片簡介 AS 晶片簡介 AS 晶片簡介 TS 晶片簡介 TS 晶片簡介 TS 晶片簡介 GB 晶片簡介 GB 晶片簡介 MB 晶片簡介 MB 晶片簡介 MB 晶片簡介 晶片簡介 AlInGaP 晶片比較 GaN / InGaN 晶片簡介 GaN / InGaN 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 TB 晶片簡介 * * LED 作為新一代的光源﹐其外形多樣﹐但是其產品的特性主要由芯片及封裝工藝所決定。 LED芯片作為LED的重要發光部件﹐其芯片的特性很大程度上決定了LED的特性. 為此了解LED芯片的特性﹐對于LED產品的開發及其應用有著很重要的意義. ■ 定義﹕ AS 晶片﹕Absorbable structure (吸收襯底）晶片﹔經過近四十年的發展努力﹐台灣LED光電業界對于該類型晶片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與台灣業界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS晶片﹐特指UEC的AS晶片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等 ■ 特點﹕ 1. 四元晶片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規晶片要亮 2. 信賴性優良 3. 應用廣泛 (備注: AS晶片包括紅﹑黃﹑橙﹑黃錄色等晶片﹐不包括藍﹑錄色晶片) ■ 典型AS 晶片結構圖示﹕ ( 結構分析見后頁) ■ AS 晶片結構分析﹕ 各廠商晶片電極形狀不一致﹐目的﹕方便電流的擴散 晶片表面粗化﹐有助于量子效率的抽取 DBR(布拉格反射層 )層有助于亮度的提升 ITO 層(材料)具有良好的光透性和電流擴展性﹐在AlGaInP LED及GaN/InGaN LED都有廣泛的應用. GaAs 襯底吸光﹐整體亮度不及TS晶片 ■ 定義﹕ TS 晶片﹕ transparent structure(透明襯底)晶片﹐該晶片屬于HP 的專利產品。 ■ 特點﹕ 1.芯片工藝制作復雜﹐遠高于AS LED 2. 信賴性卓越 3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高 4.應用廣泛 ■ TS 晶片發展歷程﹕ 以上是 Lumileds 公司的晶片結構發展歷程 ■ TS 晶片特點 : 小芯片(0.3mm2 ) vs 大芯片(0.5mm2 ) vs TIP芯片(1mm2 ) 芯片特點： 1.流明輸出遠遠超出常規LED 2.制造過程很復雜，晶圓黏接(wafer bonding)不是很理想，因此制造成本較昂貴. 3.該技術屬於HP的專利，技術復雜，難以得到推廣. ■ 定義﹕ GB 晶片﹕Glue Bonding (粘著結合）晶片﹔該晶片屬于UEC 的專利產品 ■ 結構﹕ ■ 特點﹕ 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)晶片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS晶片的GaP襯底. 2﹕晶片四面發光﹐具有出色的Pattern圖 3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS晶片的水平(8.6mil) 4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極晶片 (AS chip) (GB chip) (TS chip) ■ 定義﹕ MB 晶片﹕Metal Bonding (金屬粘著）晶片﹔該晶片屬于UEC 的專利產品 ■ 結構﹕ ■ 特點﹕ 1: 采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易. GaP GaP Copper Silicon (Substrate) 50um 200um 150um 150um TIP-type Standard type TS-type AlGaInP LED Advanced type (The distance from light emitting area to heat sink) Standard type MB-type AlGaInP LED *Thermal Conductivity GaAs: 46 W/m-K GaP: 77 W/m-K Si: 125 ～ 150 W/m-K Cupper:300~400 W/m-k SiC: 490 W/m-K ■ 特點﹕ 2﹕通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射