1第三节双极型三极管教程讲解.pptVIP

第三节 双极型三极管 　　　　题西林壁 　苏轼 　　 　　　　横看成岭侧成峰， 　　　　远近高低各不同。 　　　　不识庐山真面目， 　　　　只缘身在此山中。 总目录 下页 第三节 双极型三极管 三极管的结构 三极管中载流子的运动和电流分配关系 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 总目录 下页 半导体三极管 晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管 制作材料： 分类 ： 它们通常是组成各种电子电路的核心器件。 双极结型晶体管又称 为 ： 硅、锗或砷化镓 NPN型 PNP型 下页 上页 首页 一、 三极管的结构 三个区 发射区： 杂质浓度很高 基 区： 杂质浓度低且很薄 集电区： 无特别要求 发射结 集电结 集电区 基区 发射区 c b e NPN型三极管的结构和符号 两个PN结 发射结 集电结 三个电极 发射极 e 基极 b 集电极 c 集电极 c collector 基极 b base 发射极 e emitter N P N 下页 上页 首页 二、三极管中载流子的运动和电流分配关系 下页 上页 首页 （1） BJT的放大偏置 双极型晶体管用于放大器时要求工作点应为: ● 发射结正向偏置， ● 集电结反向偏置。 下页 上页 首页 BJT在放大偏置时的电流方向 NPN管的电流是集电极流入，发射极流出，故集电极电位最高，发射极电位最低。 下页 上页 首页 BJT放大偏置时各电流的实际情况是 ① iC≈ iE ； ② iB iE ； ③正偏电压变化会使各电极的电流明显变化 ④反偏电压变化对iE，iC和iB影响甚小。 为什么会是这样呢？ 下页 上页 首页 （2）BJT在放大偏置下的一种错误分析思考实验： 假如把晶体管简单等效为两只二极管“背靠背”地连接如图所示，就会得出正偏发射结使iE=iB, 而反偏集电结使ic≈0的错误结论。 下页 上页 首页 （3），BJT的物理特点 为使BJT具有放大性能应如下物理特点： ①发射区杂质密度远大于基区杂质密度； ②基区非常薄（0.1微米到几微米）。 ③集电结面积比发射结面积大； ④BJT的发射极与集电极不能交换使用；这是因为BJT并非对称结构； ① 、② 两个特点是BJT能够放大信号的内部条件。 ④ 集电结能承受较大的功率。 Rb Rc EB EC e c b 发射极电流 讨论三极管中载流子的运动和电流分配关系 发射: 发射区大量电子向基区发射。 2. 复合和扩散： 电子在基区中复合扩散。 3. 收集： 将扩散过来的电子收集到集电极。 同时形成反向饱和电流ICBO 。 IE IC IB ICN IEN IBN ICBO 集电极电流 基极电流 下页 上页 首页 Rb Rc EB EC e c b IE IC IB ICN IEN IBN ICBO IC = ICN + ICBO IE = ICN + IBN I B = IBN -ICBO IC = α IE + ICBO 当ICBO IC时，可得 ≈ IC IE α IEN = ICN + IBN IE = IEN IE = IC + IB 下页 上页 将 代入IC = ICN + ICBO 得 ICN α = IE 通常将 定义为共基直流电流放大系数。 首页 β ≈ IC IB IE = IC + IB IC = α IE + ICBO 代入 得 IC = α α 1- IB + α 1- 1 ICBO β = α α 1- 令 可得 IC = β IB +（1+ ）ICBO β IC = β IB + ICEO 当ICEO IC时，可得 β 称为共射直流电流放大系数。 ICEO =（ 1+ ）ICBO ICEO称为穿透电流。 下页 上页 首页 β IE = IC + IB IE （ 1+ β ）IB IC β IB ≈ ≈ 各参数含义： ：共基直流电流放大系数。 ：共射直流电流放大系数。 α = ICN IE ICEO =（1+ ）ICBO β ：集电极与发射极间穿透电流。 β = IC - ICEO IB ≈ IC IB 小结： 忽略集电结反向饱和电流 ICEO =（1+ ）ICBO β IE = IC + IB IC = β IB + ICEO IE （ 1 + β ）IB = + ICEO IC ≈ βIB IE