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功率半导体器件的特性和应用 课程制作： 电控一部 陈永伦 课程讲授： 电控一部 陈永伦 讲授日期： 2009年1月30日 课程大纲 1、可控制功率开关器件分类 ● GTO可关断晶闸管、 ● 双极晶体管GTR、 ● MOSFET功率场效应晶体管、 ● IGBT绝缘栅双极晶体管， ● MOS控制晶闸管MCT、 ● 静电感应晶闸管SITH、 ● 静电感应晶体管SIT。 2、MOS管的特点和参数 MOS管的特点： 1）单极型电压控制开关器件，具有驱动功率小，功率增益大； 2）工作频率高，开关 速度快； 3）便于并联使用增大功率容量； 4）无二次击穿，安全区域宽； 5）具有很好的线性，导通功耗小，使用方便。 2、MOS管的特点和参数 MOS管的参数 Vds：漏极到源极的最大电压； Vgs：栅极到源极的最大电压； V gsH：阀值（门坎）电压； Id：连续导通漏极的最大电流； Rds（on）：漏极到源极的导通电阻； Q g ：栅极电荷； Td(on)：开通延迟时间 Tr：开通上升时间 Td(off)：关断延迟时间 Tf ：关断下降时间 Pd：最大功耗 Is：体内二极管最大电流； Ciss：输入电容（Cgs+Cgd） Coss：输出电容 (Cds+Cgd) 2、MOS管的特点和参数 3、MOS管的开关特性和功耗计算 3、MOS管的开关特性和功耗计算 MOS管的关断过程（见图3）: t2-t3：下降延迟时间，t1-t2：下降时间. 3、MOS管的开关特性和功耗计算 一个周期的损耗=开通损耗+关断损耗+导通损耗 开通损耗=1/2*VDS*IDS*(tr＋td) 关断损耗=1/2*VDS*IDS*(tf ＋td) 导通损耗=RDS（on) *IDS2 图4是MOS管的一次开关过程 4、MOS管的应用 作为控制开关：可靠性高，可以并联使用，扩大导 通电流。 电源的PWM开关：可靠性高，开关频率高。 信号开关：利用阀值（门坎）电压比三极管高的特点，抗干扰能力强，损耗小（信号频率低） 频率对驱动电流的影响：频率越大，驱动电流（均值）越大 驱动电路对开关损耗的影响：驱动电路设计好，损耗就小。 驱动电路的设计原则： ◆驱动电路延迟时间要小； ◆驱动能力峰值电流要大； ◆栅极电压变化率要大。 4、MOS管的应用 4、MOS管的应用 IC驱动能力不够时，常用的一种驱动电路（图6） 5、MOS管应用时的注意事项和事例分析 5、MOS管应用时的注意事项和事例分析 5、MOS管应用时的注意事项和事例分析 5、MOS管应用时的注意事项和事例分析 5、MOS管应用时的注意事项和事例分析 二、二极管整流器件 1、二极管的种类 2、二极管的性能参数 3、二极管的导通特性和功耗 4、二极管的应用和注意事项 1、二极管的种类 材料分：硅管、锗管 开关速度分：普通二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管 普通二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管的划分：根据反向恢复时间的大小划分 普通二极管：t rr＞1uS 快恢复二极管： 1uS ＞t rr＞100nS 超快恢复二极管：t rr＜100nS 2、二极管特点和参数 二极管主要参数 VR：恢复电压 VF：正向导通电压 IF：正向导通电流 IR：恢复电流 PD：功率损耗 3、二极管的特性和功耗 二极管的特性 1)正向特性：正向导通电流IF、温度对正向导通电压VF的影响。 电流IF的影响：VF随IF增大而升高； 温度影响：VF 随温度升高而有所变小。 2)反向特性：指反向漏电流ISS的变化，反向漏电流随反向电压升高而增大； 3)反向恢复特性：指反向电压VR、正向导通电流IF、温度（结温）对反向恢复峰值电流IRM和反向恢复时间 t rr的影响。 IF影响：IF增大，IRM 和t rr也将变大； VR影响：VR增大，IRM 和t rr也将变大； 结温影响：IRM 和t rr随着温度升高将变大。 3、二极管的特性和功耗 3、二极管的特性和功耗 二极管功耗： 正向导通损耗：VF*IF； 反向损耗：指反向电流引起的损耗VR*ISS，非常小，一般忽约掉； 恢复损耗：指因恢复电流引起的损耗1/2 VR* IR。 4、二极管的应用和注意事项 主要是电源中的应用 根据开关频率选择二极管类型。 1）PFC电路中的升压二极管的选择： 选用超快恢复二极管； 2）续流二极管的选择： 肖特基二极管或超快恢复二极管； 3）副边整流二极管的选择： 肖特基二极管或超快恢复二极管； 4）交流整流二极管的选择： 普通二极管或快恢复二极管； 4、二极管的应用和注意事项 二极管应用时的注意事项 1）所选型号和要求要匹配： 一般实际电流为额定电流的一