模拟电子电路基础总复习例题选讲资料祥解.pptVIP

半导体三极管常见外形 * 例题 （1）分析电路工作情况 当 u i 2.7V 时，V1管导通，V2管截止，u O ＝ 2.7V ；当 ?4.7V u i 2.7V 时， V1管和V2管均截止，u O ＝ u i ； 当 u i ? 4.7V 时，V1管截止，V2管导通，u O ＝ ? 4.7V。 5.1k? - + ui + - 2V + - VD2 4V - + uO VD1 例1 试分析下图所示的硅二极管电路: （1）画出电压传输特性曲线； （2）已知u i＝10sin? t V，画出u i 和u O的波形。 -4.7 2.7 0 t uO/V t 0 ui/V 2.7 -4.7 10 -10 2 4 -2 -4 0 B A D C ui/V 2 4 -4 -2 uO/V 双向限幅电路用以限制信号电压范围，常用作保护电路。 （2）画出电压传输特性曲线和 u i 、 u O 的波形，如下图所示。 例题 （1） BJT从结构上可以分成 和 两种类型； BJT内部有 种载流子参与导电。 （2） BJT的输出特性曲线通常分三个区域， 分别是 、 、 。 （3）某BJT工作在放大区，如果基极电流从10微安变化到20微安时，集电极电流从1毫安变为1.99毫安，则该BJT的β约为　　；α约为　　　。 （4）场效应管从结构上可分为两大类： 、 ；根据导电沟道的不同又可分为 、 两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 、 。 例题 例2 填空 NPN PNP 两 ；饱和区 放大区 截止区 ；99 0.99 ；JFET MOSFET N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 （1） 当发射结和集电结都外加正偏电压时，三极管工作于饱和区。（ ） （2） 三极管工作于放大状态时，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。（ ） （3）结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏，以使场效应管输入电阻很大。 例题 例3 是非题（对打?；不对打?） ? ；? ；? 例题 +12V +12V 3 kΩ +3.7V +0.7V +8V 4 kΩ （a） （b） （c） 例4 分析所示电路中各三极管的工作状态，假设二极管和三极管均为硅管。 解: 图（a）中，发射结能正偏导通，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态；图（b）中，基极与地之间的电位差不足以使发射结和二极管同时导通，集电结反偏，因此三极管处于截止状态；图（c）中，发射结正偏导通，使UB=1.4V因此集电结正偏，三极管工作在饱和状态。 1V 例题 例5 试总结由输出特性曲线或转移特性曲线判断场效应管类型的规律。 解： 若uGS取值均为正，则为N沟道增强型MOS管；若uGS取值均为负，则为P沟道增强型MOS管；若uGS取值为正或零，则为P沟道结型管；若uGS取值为负或零，则为N沟道结型管。若uGS取值正、负、零都有，则再观察uGS(off） ，uGS(off)为负的为N沟道耗尽型MOS管， uGS(off)为正的为P沟道耗尽型MOS管。 例题 例6 图中，已知UGS(th) = 1V， ，试求Q点参数和gm 。 解：由于场效应管栅极电流为零，故由图可得 设IDQ单位为mA，UGSQ单位为V，则可得 增强型管的电流方程为： 例题 将已知数据代入上式，得 联立方程 解得 IDQ = 14mA UGSQ0 IDQ = 0.34mA UGSQ=2.84V 不合理， 应舍去 由图可求得 UDSQ =[12-0.34?(10+1)]V=8.26V 由于是增强型场效应管，因此 例7 选择题 （1） （ ）运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。 A. 同相比例 B. 反向比例 C. 同相求和 D. 反向求和 （2） 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用（ ）运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 （3）实现函数 ，应选用( )运算