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第8章 光电检测 主要通过光电转换元件将光能转换成电能。利用光电效应原理制成的,有外光电效应的光电管和光电倍增管;内光电效应的光敏电阻、光导管;阻挡层光电效应的光敏二级管、光敏三级管及光电池等。 新发展的光电转换元件主要有光电耦合器件和电荷耦合器件(CCD)等,除具有直接检测光信号外,还可间接测量温度、压力、速度及位移等多种物理量,具有非接触、高精度、高分辨率、高可靠性和抗干扰能力强等优点。 本章介绍光电效应及光电器件、光电耦合器件及CCD电荷耦合器件。 8.1 光电效应及光电器件 8.1.1 外光电效应及器件 在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称外光电效应。 1、光电管及其特性 结构如图 8.1 光电效应及光电器件 伏安特性 光电特性 光谱特性 8.1 光电效应及光电器件 2、光电倍增管 它由光阴极K、光阳极A和若干个倍增极D1,D2,…,Dn等三部分组成。光阴极是由半导体光电材料锑铯做成。倍增极通常是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料而形成的。 8.1 光电效应及光电器件 若在各倍增极上均加上一定的电压,并且电位逐级升高,即阴极电位最低,阳极电位最高。当有入射光照射时,阴极发射的光电子以高速射到倍增极D1上,引起二次电子发射,这样在阴极和阳极的电场作用下,逐级产生二次电子发射。电子数量迅速递增,如此不断倍增,阳极最后收集到的电子数将达到阴极发射电子数的 10 5~10 8倍。即光电倍增管的放大倍数可达几十万到几百万倍。最后被阳极A吸收,形成很大电流。 与普通光电管相比,其灵敏度可提高109倍以上,光电倍增管的光谱特性与相同材料的光电管的光谱特性很相似。 8.1 光电效应及光电器件 8.1.2 内光电效应及器件 在光线作用下,能使物体的电阻率发生改变 的现象称内光电效应。 1、光敏电阻的工作原理及结构 光敏电阻是由绝缘底座、半导 体薄膜和电极三部分组成,金属 电极与半导体层应保持着很好的 电接触,再将金属电极与引出线 端相连接,光敏电阻就通过引出 线端接入电路。 8.1 光电效应及光电器件 2、光敏电阻的主要参数 暗电阻和暗电流、亮电阻和亮电流、光电流 3、光敏电阻的基本特性 伏安特性、 光照特性、 光谱特性 8.1 光电效应及光电器件 8.1.3 阻挡层光电效应及器件 在光线作用下,能使物体产生一定方向的电 动势现象称为。 1、光电池及特性 光电池的结构及原理 8.1 光电效应及光电器件 光谱特性 光照特性 8.1 光电效应及光电器件 2、光敏晶体管及特性 (1) 光电二极管和光电三极管 8.1 光电效应及光电器件 (2) 基本特性 光谱特性 伏安特性 光照特性 8.2 光电耦合器件 是由发光源和光敏器件封装在一个外壳内组合而成的转换元件,发光源的管脚为输入端,而连续光敏元器件的管脚为输出端。 8.2.1 光电耦合器件的结构和原理 金属密封型和塑料密封型。 8.2 光电耦合器件 8.2.2 光电耦合器件的组合形式 8.2 光电耦合器件 8.2.3 光电耦合器件的特性曲线 8.2 光电耦合器件 8.2.4 光电耦合器件的应用 8.3 电荷耦合器件(CCD) 功能是把光学信号转变成视频信号输出。 8.3.1 CCD的基本工作原理 主要是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 8.3 电荷耦合器件(CCD) 1、CCD光敏元件工作原理 P型硅里的多数载流子是带正电荷的空穴,少数载流子是带负电荷的电子。当金属电极上施加正电压时,其电场能够透过SiO2绝缘层对这些载流子进行排斥或吸引。于是带正电的空穴被排斥到远离电极处,带负电的电子则被吸引到紧靠SiO2 层的表面上来。这种现象便形成对电 子而言的陷阱,电子一旦进入就不能 复出,故又称电子势阱。 8.3 电荷耦合器件(CCD) 2、电荷转移原理 转移脉冲电压 图中φ1,φ2,φ3是 相位依次相差120o 的三个 脉冲源,其波形都是前缘陡 峭后缘倾斜。 8.3 电荷耦合器件(CCD) 电荷转移过程 8.3 电荷耦合器件(CCD) 3、CCD的输入输出结构 电荷注入:在电荷注入CCD中,有光电注入和电注入两种。光电注入即光照射在金属电极附近,产生的光电子被电极下势阱吸收,完成了电荷注入。另一种是电注入,所谓电注入就是CC
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