传感器的选择解析.docVIP

传感器的选择 在我们所需要建立的单自由度磁悬浮系统中，需要测量悬浮的小球在垂直方向（Z轴）上的位移。根据我们所需建立的磁悬浮系统的特点，测量位移所用的传感器应该是非接触式的，而且应该有较高的精度和较快的反应速度，以便迅速、精确的向控制系统反应小球的实际位移与平衡位置之间的偏差。 经过筛选，符合这些要求的传感器主要有：电涡流传感器、电容传感器、电感传感器、激光位移传感器等。 最终采用光电传感器进行测距。这种测距技术具有非接触、稳定性高、灵敏度高、成本低等诸多优点。通过光电池将光强信号转化为电信号驱动控制系统动作。 感光器件的选择 光电传感器的核心部件是感光元件。常用的感光元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。这些都是半导体材料制成的，利用光电效应的原理工作。光敏电阻的稳定性好但灵敏度低，线性度较差。光敏二极管灵敏度较高，光谱范围宽，体积小，但稳定性和线性度均差。光敏三极管有很高的灵敏度，较好的线性度和极高的频率响应，但受环境温度影响较大。光敏电池的线性度和稳定性较好，光谱范围也较宽，但灵敏度较低，频率响应速度相对较慢，体积大。考虑到我们应用的场合，信号频率低（＜100Hz），线性度和稳定性要求高，接收面积大等特点，选用光电池作为传感器的感光部件。 光电池是在N型硅片上扩散硼形成P型层，然后分用电极引线把P型和N型层引出，形成正、副电极，如图所示。 当光照射到PN结时，在光子能量的作用下，N型半导体中的电子就向P区扩散，P型半导体中的空穴向N区扩散。这样就在结区的附近激发出电子、空穴，形成电场。这个电场又使N区的光生空穴向P区运动，P区积累了正电荷，P区的光生电子向N区运动，N区积累了负电荷。结果就在PN结的两端出现了电动势，即光生电动势。 光电池又分为晶体硅光电池、非晶硅光电池、多晶硅光电池、碲化镉光电池等，其中晶体硅光电池生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。 因此，此实验系统采用光谱范围宽，响应频率在可见光范围内的硅光电池。光学系统光源初步采用白炽灯光源。后面将根据光源的光谱和硅光电池的型号进行进一步的校核和选定。 光传感器原理 光传感器实验装置如下图所示： 当小球的垂直位置发生变化时，狭缝的透光面积也随之改变，从而硅光电池的曝光度发生变化，将位移信号转化为电压信号输出。 因为杂光、背光必然对此系统造成干扰，所以在光源端和接收端都采用遮光筒将光源和光电池封闭，在遮光筒的光路上开竖直狭缝，其宽度在光传感器的位移——电压标定实验中确定。 同时，需要在光源端遮光筒内安装透镜以获得平行光源。 硅光电池具体型号和光源的选定 通过查阅资料，初步选定以下几种型号作为备选的硅光电池。 项目 测试条件 型号 外形 光学参数 电参数 Size λ λP VOC ISC ID Rsh Cj tr mm*mm nm nm mV μA A Ω pF μs A光源 E=100LX 最小值 E=0 VR=-1V 最大值 E=0 VR=-1V 最大值 E=0 VR=0 E=1000LX RL=100Ω PN1010MQ 9.9*9.9 250-1100 760 300 50 10-10 1010 13000 30 PN1010CE 9.9*9.9 320-1100 800 330 55 10-10 1010 13000 30 PN710CE 7*10 320-1100 760 330 40 10-10 1010 10000 25 PIN66MK 5.7*5.7 400-900 900 300 20 5*10-10 2*109 200 0.5 Size:光敏面积 λ：波长响应范围 λP:峰值波长 VOC:开路电压 ISC:短路电流 ID:暗电流 Rsh：旁路电阻 Cj：结电容 tr：响应时间 根据我们的实验条件，硅光电池的光敏面积要尽可能大，响应时间要尽可能短，波长响应范围要尽可能贴合光源的光谱范围。在我们的实验中，响应时间在微秒级就够用，所以四个型号的硅光电池均适用。感光面积以PN1010MQ和PN1010CE为最优。 下面分析光源的光谱： 不同光源的光谱 不同光源的光谱 不同感光元件的光谱 由以上光谱图对比可以清楚的看到，硅光电池（PD）的光谱和白炽灯光源的光谱非常接近，二者配合可以最大限度的发挥白炽灯光源在各个频率上的光强。因此，我们选用12V的白炽灯灯泡作为光源，同时采用合适的透镜使电光源转化为平行光源。（焦距根据峰值频率的波长来选定）。