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LTPS-LCD工艺流程简介 TEST LCD 显示原理 LCD显示原理 LCD 显示原理 Array 流程 Array制程既是在大张玻璃基板上制作电路 Array 工艺流程 pre-compaction Poly（mask1） CHD（mask2） ND（mask3） GIM1 (mask4) PD Doping（mask5） ILD（mask6） M2（mask7） PLN（mask8） ITO1（mask9） passivation（mask10） ITO2（mask11） Pixel 截面图 CELL 流程 CELL 流程 CELL流程 Module流程 TFT驱动原理 TFT驱动原理 TFT驱动原理 * * 画面显示即大量的像素显示组合 ——如何让像素发光？ ——如何制作像素？ Array：电路 Array CF Gate 扫描 Data扫描 Gate线打开TFT，Data线给子像素充电，使其产生电场并使液晶分子发生偏转，光由不透过变为透过，通过CF滤光作用，发红光，产生红线。 CF：滤光 ④ 液晶偏转角不同， 光透过率不同 一、 TFT-LCD组成为C/F基板与TFT基板中间有液晶.一个象素(Pixel)组成为此三个RGB Sub-Pixel. 二、TFT 基板组成为把画像信号传达的Data线及把该画像信号需要时关/开的Gate线排列为匹配. 三、按照许可电压的大小, 配向的掖晶分子方向有变化.由于偏光板偏光的光,根据液晶分子的方向透过率有变化 ,因此体现画像. ③ Pixel 根据电压旋转不同 Glass Glass - - - - Back Light + ② Gate 开/关画像 ① Source 传达画像信号 - - 100 ? One Pixel Data 线 Pixel 电极 Gate 线 ) ) C/F 基板 TFT 基板 液晶 偏光板 Bare glass 730*920 Panel LTPS-LCD工艺流程 2nd CUT photo Depo-Photo-Etch Array CF 1st CUT 背光组装 FPC绑定 IC绑定 Front cell End cell Modulel Array 段采用Depo-Photo-Etch循环方法在大张玻璃板上一层层制作电路，中间插有ELA、IMP、AOI、TEG等站点 PR Coating Glass基板 Exposure Develop PR Strip PR Etch Depo Next Layer Array pixel：100*33um 如何通过Depo-Photo-Etch循环方法得到像素？ pre-compaction poly ND PD ILD CHD PLN ITO1 passivation ITO2 M2 GI LDD M1 pre-compaction Glass 投入 Glass采用650℃_10min高温处理，可以 防止后工序中高温制程造成的玻璃收缩带 来对位偏差。 PDC 需要确认导角，不同的玻璃有不同的导角规则 a-si SiO2 SiNx ELA poly-si SiO2 SiNx PDC 3layer DEPO ELA photo Dry etch Stripper Spin clean a-si SiO2 SiNx ELA poly-si SiO2 SiNx 缓冲层作用: 1.防止玻璃中的金属离子(铝,钡,钠等)在热工艺中扩散到LTPS的有 源区,通过缓冲层厚度或沉积条件可以改善多晶硅背面的质量; 2.有利于降低热传导,减缓被激光加热的硅冷却速率,利于硅的结晶 After poly photo After poly stripper LTPS 优势： 高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等 Photo Chanel doping 1、在IMP 离子注入机中进行 2、CHD补偿Vth值 对位基准图案 本层图案 OverLay NG stripper N doping Photo PR ashing stripper 1、与Dry Etch机台进行 2、离子注入导致PR胶碳化变硬，无法 Stripper除去，需要先进行Dry Etch除去 碳化层。 沟道区域PR遮住，其余部分 注入PHx+，以减少电阻。 注入PHx离子，形成N-MOS Pre GI clean GI DEPO M1 DEPO photo Dry etch Stripper Pre M1 clean LDD P doping Photo PR ashing stripper VGL