有源光器件和无源光器件区别及基础解析.pptVIP

复习题3.3 1、光电二极管的主要功能是什么？ 2、 InGaAs光电二极管的量子效率是70%，它的响应度是多少？ 3、响应度是如何依赖光信号的波长的？ 4、P-I-N代表什么意思？ 5、与P-N光电二极管相比P-I-N的优点是什么？ 6、与P-I-N光电二极管相比APD的优点是什么？ 7、APD的缺点是什么？ 四、光无源器件 1.光纤的连接、光纤连接器 2.光衰减器 3.光纤定向耦合器 4.波分复用器 5.光隔离器 6.光环形器 7.光滤波器 8.光开关 9.光调制器 1、光纤的连接、光纤连接器 “跳线” 连接光器件和光仪器，通过“法兰盘” 连接同类 “跳线” FC/PC 光纤连接器 SC 光纤连接器 ST 光纤连接器 SMA 光纤连接器 CATV 光纤连接器 分为：固定连接和活动连接，活动连接器典型的：插入损耗0.25dB,回波损耗-50dB 2.光衰减器 一、分类： 固定衰减器（绕线、拉锥等） 可变衰减器（光-机械装置） 二、可变衰减器原理 典型的：衰减范围0-60dB,分辨率0.5dB，插入损耗2dB 光衰减器是减少传输光功率的装置。 自聚焦透镜 衰减片 自聚焦透镜 光衰减器原理示意图 ?光可变衰减器原理图 输入光 输出光 棱镜 圆盘式 衰减片 3.光纤定向耦合器 分类： 标准耦合器 宽带耦合器 双窗口宽带耦合器 原理 熔锥型 磨抛型 耦合器是实现光的分路、合路的器件。主要指标：附加损耗、耦合比 研磨法光纤2×2耦合器原理示意图 熔锥光纤2×2耦合器示意图 任何一臂的入射光，可以耦合到任何一个出射臂。 50% / 50% (3 dB)是最常用的 4 端口形式。 1%, 5% or 10% taps (often 3 port devices) 附加损耗-Excess Loss (EL): 耦合比：CR(dB)=-10log10[P1/(P1+P2)] EL = -10 ? log10 Pout Pin ? 直通臂(P1) 耦合臂(P2) P0 1 1 N M 星形耦合器 光时分复用器件 10Gb/s signal input 4×10Gb/s signal output 4×10Gb/s multiplexer with six fiber 1×2 couplers 4×10Gb/s multiplexer with two fiber 1×4 couplers Fiber Coupler Fiber Coupler 3.2.2 发光二极管Light-emitting Diode (LED) P -3 dB P peak BW 具有体积小,机械强度高,寿命长,电压低,电流小(数毫安或数十毫安),耗电省,响应速度快,易用电流调制光通量和使用方便等优点.由于它所需要的电压低,能与集成电路或晶体管共用电源,或用晶体直接控制它发光,能方便的与光纤进行耦合,因此,LED在光纤通信领域获得广泛应用. λ LED的结构 光纤通信用的发光二极管（LED）通常是采用GaAs为衬底的GaAs或AlGaAs和InP为衬底的InGaAs或InGaAsP材料制成。用AlGaAs/ GaAs制作的LED其峰值发射波长在 0.8 ~ 0.95 ?m范围内，用InGaAsP/ InP制作的LED其峰值发射波长为1.31 ?m和1.55 ?m。 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。为了使器件有好的光和载流子限制，大多采用双异质结（DH）结构。 面发射同质结 发光二极管的基本类型 图3.2.2 –1 LED结构截面图 分为： 面发射SELED、边发射EELED和超辐射SLD。这里介绍前 两种。 1、面发射LED（SELED） 出光条件：产生光子的地方（有源区）；谐振腔（上、下面），限制载流子和光子的路径。 特点： 驱动电流大、出光功率高、温度特性较好；带宽较小。 LED结构截面图 边发射双异质结 出光条件：产生光子的地方（有源区）；谐振腔侧边限制载流子和光子的路径。 光纤通信用的LED多采用边发光型LED。因为边发光型LED有与激光管相似的结构，与光纤耦合效率较高，带宽较宽，线宽较窄。 2、边发光LED（EELED-edge-emitting LED） 介于LED和LD之间的光源。 在高电流强度下，用双异质结结构构成有源区。但SLD没有正反馈，仅能自发辐射光。所以SLD比通常的LED功率更强，限定性更好，但是，在单色性、定向性和相干性方面，不如LD。SLD在光通信中较少使用，多用于宽带测量光源。 2、超辐射发光