溶胶凝胶法制备SiO2凝胶.ppt

溶胶凝胶法制备SiO2凝胶 徐海涛S熊杰S海子彬S王良彪S 邓锐B 主要内容 二氧化硅基发光材料简介 SiO2 凝胶简介和制备 多孔SiO2 复合材料的合成 二氧化硅基发光材料简介 SiO2 中的常见缺陷及其光跃迁[5] SiO2 凝胶简介和制备 简要反应过程[15] 溶胶凝胶法一般可分为三种： 1) 胶体颗粒溶液的凝胶化； 2) 醇盐前驱体水解缩聚后对凝胶进行超临界干燥； 3) 醇盐前驱体水解缩聚后在常压下进行老化 和干燥。 多孔SiO2 复合材料的合成 图3 是样品C 的SEM 照片。可见薄膜表面非常平整致密。图中白点是AgI，粒径约10－40nm，其分布比较均匀。由于溶胶凝胶膜在200°C 处理后会产生许多微孔，浸泡时Ag+和I－向孔内扩散并结合形成AgI 纳米粒子。 2. 柱状玻璃体：将0.2M 的AgNO3 溶液在避光条件下逐滴加入到SiO2 溶胶中（AgNO3 溶液与TEOS 体积比为1:2），持续搅拌半小时，静置。将溶液放在玻璃管中，用橡皮塞封住，置于60°C 水浴中恒温8-12 小时成凝胶。开封，在空气中老化一周，体积缩小5 倍以上，成为坚硬透明的柱状体。用1M 的KI 溶液浸泡24h，取出用去离子水反复清洗，直至在清洗水中检测不出Ag+，在50°C 下烘干，呈淡黄色透明玻璃。在400~500°C 热处理1~4h，升温速率3°C/min。在处理过程中可观察到有淡紫色I2蒸气逸出。 图4 是样品在500°C 热处理前(a)后(b)的SEM 照片。热处理前样品呈淡黄色，AgI 含量较多，粒径约20~40nm（a 中亮的部分）。热处理后后的样品是无 色的，用XPS 分析检测不到任何Ag 和I 的信息。因为XPS 对重原子的检出限约0.5%（原子百分比），说明样品中AgI 的含量非常之少。这是由于大部分AgI在热处理时升华了，实验中在处理过程中也观察到淡紫色I2 蒸气逸出。从其SEM照片中仅能观察到一些稀疏分布的亮点是AgI 粒子。 图4——热处理前后的SEM照片 * * 材料合成化学作业 自从在锗硅玻璃光纤波导中发现紫外光写Bragg 光栅效应[1]以来，在如何将这一发现应用到光电子器件方面已取得巨大的进展[2]。研究发现，玻璃中的点缺陷对光学性质有很重要的影响[3]。但尽管人们对光诱导光栅物理方面的认识不断深入，对一些基本问题，如许多Si-, Ge-相关的缺氧型点缺陷的结构模 型，却一直存有争议。造成此状况的原因很简单：许 多点缺陷是抗磁性的，用电子顺磁共振(EPR)技术无法探测。而EPR 是研究SiO2 基玻璃中缺陷结构的主要手段。 由于大多晶体和非晶SiO2 中具有相同的短程序，以前对SiO2 中色心的研究都基于一个简单化的模型，即假设除了有随机取向存在外，玻璃态和晶态SiO2中的缺陷中心是相似的。但后来的研究表明，在非晶中还必须考虑其它重要的因素，如非均匀性展宽、交互相关效应和玻璃态中存在其特有的缺陷[4]。 在SiO2 网络中的缺陷按照局域化程度不同，可分为三种[4]： (1) 缺陷性质主要由单个SiO4 四面体内的相互作用决定。许多悬键型缺陷属于这一类。 (2) 缺陷性质主要由两个相邻SiO4 四面体间的相互作用决定。氧空位即是典型的此类缺陷。这类缺陷在非晶和晶态中的性质很相似。 (3) 扩展型缺陷。这种缺陷性质主要由三个或更多SiO4 四面体间的相互作用决定。双氧空位即属此类。 由于空间位阻效应的存在，悬键型缺陷不能在石英晶体中存在，因此研究这类缺陷的晶体-非晶相似性几乎毫无意义。此类缺陷只能在SiO2 气凝胶这种具有高比表面的材料中以表面缺陷存在。因此研究多孔SiO2 的光学性质对深入了解此类缺陷及探索其应用有重要意义。 迄今对其光跃迁性质研究较多的缺陷可分为缺氧型和过氧型。主要种类有： (1) 氧空位(VO)：结构式可表示为≡Si－Si≡ ( ≡ 表示三个Si－O 键，下同)。它由 Si－O－Si 链失去一个氧原子而形成。它在7.6eV 和5.0eV 处有吸收，分别对应S0→S1 和S0→T1 跃迁。 (2) 二配位硅：结构式可表示为=Si: (: 表示两个电子)。其S0→S1跃迁能量在5.8eV附近。 (3) 双氧空位(VO,O)：结构式可表示为≡Si－Si－Si≡。它由Si－O－Si－O－Si 链失去两个氧原子而形成。其S0→S1 跃迁能量在6.3eV 附近。 (4) E’中心：结构式可表示为≡Si· +Si≡。它可视为由VO 俘获一个空穴而形成，因此在一个Si 原子上带局域负电荷，而另一个Si 原