模拟集成电路实训2.doc

集成电路设计实训 设计报告 姓名 学号 教师 两级运放设计 第一部分：设计要求（设计指标） 本次实训设计一两级放大器，研究MOS管尺寸、密勒电容Cc对放大器指标的影响。加深对两级放大器中引入的‘补偿’概念的理解。学会对放大器性能的模拟、测量并进行优化。 工艺选取：CSMC 0.5um 工艺参数 类型 tox VT/V K’（A/V2） NMOS 1.32e-08 0.504 1.057e-04 PMOS 1.24e-08 -0.66 0.611e-04 两级放大器的主要指标如下 电源电压 0~5V 共模输入电压 固定在 开环直流增益 相位裕度 转换速率 负载电容 =3pF 静态功耗（电流） 共模抑制比（CMRR） 电源抑制比（PSRR） 第二部分：设计过程 电路图如下所示： 原理分析 由所给条件可知，共模输入电压固定在2.5V，根据转换速率，可知： （1） 根据开路直流增益，可以得到公式（2） （2） 其中第一级和第二级的增益分别如公式（3），（4）所示： （3） （4） 需要注意的是该电路存在3个极点，其中有一个镜像的极点可以不考虑，还存在两个极点，其中主极点和次极点的表达式分别见公式（5），（6） （5） （6） 根据公式（3），（5）可以得到单位增益带宽GBW,见公式（7） （7） 工程上一般要求相位裕度达到60deg,此时需要近似满足,即 引入弥勒补偿电容后，由于前馈回路的存在会引入一个RHP零点，此时我们引入电阻改变零点极性，引入电阻后零点位置如下 要使z为LHP零点，需要满足 参数设计 由转换速率确定电路的尾电流，假设 取M5的过驱动电压0.2V，M5与M8为1:1线性电流镜，可得 通过GBW确定，进而确定输入级的宽长比，注意此处的GBW单位的弧度 再取M3管的过驱动电压为0.2V，同样得到 根据零点与GBW的关系，由理论分析可得 最后根据零点的要求确定电阻大小 考虑到增益要求我们取L=1u,但是经过仿真增益达不到要求，所以将M1,M2的L取2u。M3,M4的L取2u。具体参数选取见下表 名称 M1，M2 90/2 M3，M4 36/3 M5，M8 14/1 M6 150/1 M7 115/1 第三部分：仿真过程 在共模输入为2.5V的情况进行静态工作点仿真，并对VINN端和VINP端输入DC信号，扫描范围为2.45V-2.55V,步长设置为0.001V，观察输出波形变化。直流仿真分析网表文件： .title cmos 2-OP .protect .libh05mixddst02v23.libtt .unprotect m1 3 vinn 2 2 mn w=90u l=2u m2 4 vinp 2 2 mn w=90u l=2u m3 3 3 vdd vdd mp w=36u l=3u m4 4 3 vdd vdd mp w=36u l=3u m5 2 1 0 0 mn w=14u l=1u m6 vout 4 vdd vdd mp w=150u l=1u m7 vout 1 0 0 mn w=115u l=1u m8 1 1 0 0 mn w=14u l=1u res 5 4 4k cl vout 0 3pF cc vout 5 1pF ib vdd 1 30uA vdd vdd 0 dc 5 vinn vinn 0 dc 2.5 vinp vinp 0 dc 2.5 .op .dc vinn 2.45 2.55 0.001 .print dc v(out) .end 具体的静态工作点如下： DC仿真波形如下： 根据直流仿真可以看出各管均工作在饱和区满足要求，同时gm1和gm7与预设的数值有一定差距，由于分析的时候忽略了次级效应，仿真值均比预设小，但依然满足要求。同时，三条支路的电流id综合，远小于1mA,即在静态功耗方面也已达到要求。再观察仿真的波形是否能满足条件，可以看出输入范围在2.45V-2.55V，当输入2.5V时斜率最大，跨导最大。交流仿真网表文件如下： .title cmos 2-OP-AC .protect .libh05mixddst02v23.libtt .unprotect m1 3 vinn 2 2 mn w=90u l=2u m2 4 vinp 2 2 mn w=90u l=2u m3 3 3 vdd vdd mp w=36u l=3u m4 4 3 vdd vdd mp w=36u l=3u m5 2 1 0 0 mn w=14u l=1u m6 vout 4