4.2节二极管的种类及特性 电路与模拟电子技术课件.ppt

半导体器件型号命名方法半导体器件的型号由五个部分组成 表 4.1 半导体器件的组成 组成部分的符号及其意义 * 传媒研究所 4.2 二极管的种类和 特性 4.2.1 二极管的结构、类型和命名 4.2.2 二极管的伏安特性 4.2.3 二极管的主要参数 第 4 章　半导体二极管、三极管 4.2.1 半导体二极管的结构、类型和命名 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号： A (anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极引线 负极引线 集成电路平面型 P N P 型支持衬底 第 4 章　半导体二极管、三极管 表 4.1 半导体器件的组成 4.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 玻尔兹曼常数 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV 第 4 章　半导体二极管、三极管 二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第 4 章　半导体二极管、三极管 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 第 4 章　半导体二极管、三极管 第 4 章　半导体二极管、三极管 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 iD / mA uD / V iD / mA uD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 温度对二极管特性的影响 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 iD / mA uD / V 20?C 90?C T 升高时， UD(on)以 (2 ? 2.5) mV/ ?C 下降 第 4 章　半导体二极管、三极管 * * * *