离子晶体的结构.ppt

NaCl型晶体结构的两种描述 分数坐标描述 A: 0 0 0 B: 1/2 1/2 1/2 ZnS型晶体结构 分数坐标描述 A： 0 0 0 0 1/2 1/2 1/2 0 1/2 1/2 1/2 0 B: 1/4 1/4 3/4 1/4 3/4 1/4 3/4 1/4 1/4 3/4 3/4 3/4 分数坐标描述 A： 0 0 0 2/3 1/3 1/2 B: 0 0 5/8 2/3 1/3 1/8 反荧石型 金红石型晶体结构的两种描述 * * NaCl.gjf Cl- Na+ 化学组成比 n+/n-=1:1 以NaCl型晶体为例，对离子堆积描述的术语给出图解 A: 8 × 1/8 +6 × 1 /2 = 4 B: 1 +12 × 1/4 = 4 n+/n-=1 : 1 结构型式：NaCl型 负离子呈立方面心堆积，相当于金属单质的A1型。 负离子堆积方式:立方面心堆积 CN+=6 CN-=6 正负离子配位数之比 CN+/CN- =6:6 正八面体空隙 （CN+=6） 正离子所占空隙种类: 正八面体 浅蓝色球代表的负离子(它们与绿色球是相同的负离子)围成正四面体空隙，但正离子并不去占据: 仔细观察一下：是否有被占据的正四面体空隙？ 没有！ 正离子所占空隙分数 浅蓝色球代表的负离子(它们与绿色球是相同的负离子)围成正八面体空隙，全部被正离子占据。所以，正离子所占空隙分数为1（尽管还有两倍的正四面体空隙未被占据，但正离子所占空隙分数不是1/3）。 仔细观察一下：是否还有未被占据的正八面体空隙？ 没有！ NaCl晶体的结构基元由1个NaCl组成，从中可抽出立方  面心点阵。 在NaCl晶胞(Na+和Cl-可互相替换)中，含有4个NaCl，即 4个结构基元。从点阵结构也可看出，一个正当单位含  有4个点阵点。 正离子所占空隙分数 1 结构型式 化学组成比 n+/n- 负离子堆积方式 正负离子配位数比CN+/CN- 正离子所占空隙种类 CsCl型 1:1 简单立方堆积 8:8 立方体 离 子 堆 积 描 述 CsCl型晶体结构的两种描述 CsCl.gjf CsCl晶体的结构基元由1个CsCl组成，从中可抽出简单立方的点阵。（注意：不要误认为是体心立方） CsCl晶胞中含有1个CsCl，即1个结构基元。 在0.225 ? r+/r- 0.414时，四配位的化合物MX可能具有ZnS型晶体结构，其中又包括立方和六方ZnS型。通常硫化物倾向于立方，氧化物倾向于六方。 这是非常重要的两种晶体结构，已投入使用的半导体除Si、Ge单晶为金刚石型结构外，许多半导体晶体都是ZnS型，且以立方ZnS型为主。例如： GaP, GaAs, GaSb InP, InAs, InSb CdS, CdTe HgTe 结构型式 化学组成比 n+/n- 负离子堆积方式 正负离子配位数比CN+/CN- 正离子所占空隙种类 正离子所占空隙分数 立方ZnS型 1:1 立方最密堆积 4:4 正四面体 1/2 离 子 堆 积 描 述 立方ZnS型（闪锌矿）晶体结构的两种描述 ZnS-LiFang.gjf 立方ZnS晶体的结构基元由1个ZnS组成，从中可抽出立方面心点阵。正负离子的结合方式与金刚石中C原子类似。 晶胞中含有4个ZnS，即4个结构基元。 结构型式 化学组成比 n+/n- 负离子堆积方式 正负离子配位数比CN+/CN- 正离子所占空隙种类 正离子所占空隙分数 六方ZnS型 1:1 六方最密堆积 4:4 正四面体 1/2 离 子 堆 积 描 述 六方ZnS型晶体结构的两种描述 ZnS-liufang.gjf 六方ZnS结构基元由2个ZnS组