第10章 氧化.ppt

* 集成电路工艺 * 立式炉工艺腔内错误的温度均匀性 可能的原因： 错误的工艺菜单 热电偶工作方式不正确 纠正措施： 确认正确的工艺菜单被调入 估计在升降温及恒温过程中温度是否不 均匀 检查所有热电偶的工作方式。确认没有因过度受热和腐蚀而退化。替换有问题的热电偶。确认热电偶参考点的温度没有漂移。 * 集成电路工艺 * RTP内不恰当的温度均匀性 可能的原因： 加热系统故障（如卤钨灯等） 确认温度测量传感器工作正确 纠正措施： 确认加热灯正在工作并且光强正确 确认光学高温计测量传感器的正确校准和温度测量。通过对硅表面反射率测量，检查硅片的发射率有无变化 * 集成电路工艺 * 小结－1 在硅片上可以热生长或淀积二氧化硅。 SiO2的原子结构是由一个硅原子被四个氧原子包围着的四面体单元组成的。 硅片制造中氧化物的作用有：保护和隔离，钝化，电介质材料，掺杂掩蔽，金属层间的介质隔离。 氧化膜的厚度依赖于它的用途。干法热生长氧化物的化学反应需要硅和氧化剂气体，湿氧的反应速度比干氧要快。 在Si/SiO2界面存在不受欢迎的氧化物电荷，这可使用HCl中和。 * 集成电路工艺 * 小结－2 热氧化物在线性生长厚度约为15nm，随后是慢速的抛物线生长阶段。 影响氧化物生长速率的因素有：掺杂物、晶体晶向、压力和温度。 热处理工艺设备：卧式炉、立式炉、RTP。 热处理工艺中的目标是使热预算最小化。 * 集成电路工艺 * 作业 复习题 11、31、47 准备报告 谢谢！ * 第一章 半导体产业介绍 * 集成电路工艺 * 第一章 半导体产业介绍 * 集成电路工艺 * 质量流量控制器, 即Mass Flow Controller（缩写为MFC） * 集成电路工艺 * 压力效应 由于氧化层的生长速率依赖于氧化剂从气相运动到硅界面的速度，所以生长速率将随着压力增大而增大。 高压强迫使氧原子更快地穿越正在生长的氧化层，这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。 此法可降低热预算：允许降低温度但仍保持不变的氧化速率，或者在相同温度下获得更快的氧化生长。 * 集成电路工艺 * 等离子增强 给硅施以比等离子区低的偏压，这可使硅片收集等离子区内的电离氧。这种行为导致硅的快速氧化，并且允许氧化物生长在低于600℃的温度下进行。 这一技术带来的问题是产生颗粒、较高的膜应力以及比热生长氧化要差的膜质量。 * 集成电路工艺 * 选择性氧化/局部氧化（LOCOS） 硅片上的选择性氧化区域是利用SiO2来实现对硅表面相邻器件间的电隔离。传统的.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。 LOCOS-LOCal Oxidation of Silicon * 集成电路工艺 * 鸟嘴效应Bird’s Beak Effect 在氧化时，当O2扩散穿越已生长的氧化物时，它是在各个方向上扩散的，纵向扩散的同时也横向扩散，这意味着在氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长将抬高氮化物的边沿。称之为“鸟嘴效应”。 * 集成电路工艺 * 浅槽隔离（STI） 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。STI技术中的主要绝缘材料是淀积氧化物。 STI-Shallow Trench Isolation * 集成电路工艺 * 二氧化硅的应力 二氧化硅的应力是不可接受的，因为这会使硅片翘曲并且有可能在硅片内产生层状缺陷。 氧化膜的应力是由于硅和二氧化硅的热膨胀系数不同造成的。 氧化膜的应力会导致硅片翘曲，氧化表面呈凸起状。 * 集成电路工艺 * 氧化诱生堆垛层错 OISF-Oxidation Induced Stacking Faults 无论湿氧或干氧都会在Si和SiO2之间的界面处形成OISF。 堆垛层错是由于层之间堆垛错误形成的晶胞位错。OISF是造成界面氧化不完全的原因，这将导致此区域中过多的硅空隙。 由于氯气在硅表面将提供空位形成，所以掺氯的热氧化会大大减少OISF，这提供了一种清除过多硅空隙的手段。 * 集成电路工艺 * 4.生长设备 用于热工艺的基本设备： 卧式炉 立式炉 快速热处理(RTP) * 集成电路工艺 * 卧式炉 早期半导体产业，卧式炉在硅片热处理中被广泛使用。 它的命名来自石英管的水平位置，石英管是用来放置和加热硅片的。 * 集成电路工艺 * 立式炉 90年代初卧式炉被立式炉取代，主要是因为立式炉更易自动化、可改善操作者的安全以及减少颗粒沾污；可更好地控制温度和均匀性。 ? ? ???????????????????????????????????????????????????????????????????????? * 集成电路工艺 * 立式炉的主要控制系统 工艺腔 硅片传输系统 气体分配系统 尾气系统 温