电缆的EMC设计.pptVIP

当没有屏蔽电缆时，外界磁场在信号与地线构成的回路中产生感应电流，形成干扰。 增加屏蔽层后，如果屏蔽层不接地或者单端接地，磁场干扰的情况没有改变，也就是说屏蔽层没有效果。因为屏蔽层的加入并没有改变干扰磁场的特性。根据磁场干扰的公式，信号回路所包围的磁场特性如果没有发生变化，则干扰情况也不变。 当将屏蔽层两端接地时，外界磁场在原来信号与地线构成的回路中产生感应电流的同时，也在屏蔽层与地线构成的回路中产生感应电流Is，Is也会感应出磁场，但是这个磁场与原来的磁场磁场方向相反，相互抵消，导致总磁场减小，减小了干扰。 结构F：电路只在单点接地，利用电缆的屏蔽层作为回流路径，大大减小了感应回路的面积，因此屏蔽效能大幅度提高。理想的同轴电缆回路面积为0，不会感应上任何噪声电压。实际同轴电缆的屏蔽效果取决于芯线与外层轴心的偏差。 结构G：双绞线由于具有很小的感应回路，并且相邻绞节中的感应电流对消，因此表现出较高的磁场屏蔽效果。实际的抑制效果比55更高，因为这里有些电场感应了进来。这从结构H可以看出。在结构H中，单端接地的屏蔽层抑制了电场感应，是屏蔽效果提高到70。 结构H：在G的基础上增加一个单端接地的屏蔽层，消除了（实验装置产生的附加）电场的影响。这里的屏蔽效果没有F高，是因为双绞线的回路面积没有同轴电缆的小。增加绞节密度可以进一步提高抑制效果。 结构I：将H中的屏蔽层两端接地后，导致屏蔽效能下降。这是因为屏蔽层两端接地后，在屏蔽层上产生了感应电流，这个电流在双绞线上感应出电流，由于电路不是平衡的，导致产生差模电压。 结构J：将H中的屏蔽层非接地的一端接到电路公共端，进一步提高了屏蔽效能，但没有达到F的水平，因为F中的电缆是同轴电缆，具有很小的感应回路。 问题：结构H的屏蔽效能比结构G提高了一些，这是因为单端接地的屏蔽层消除了实验装置产生的附加额外的电场，为什么结构D的屏蔽效能没有比结构C的屏蔽效能提高？ 这里的原则不适合于多层线路板上，地线面上方的轨线。 当地线面上方的轨线的特性阻抗相对较低（ 100?），而负载和源的阻抗比特性阻抗高时，串扰仪电容性串扰为主。 根据前面的讨论，我们知道只有当屏蔽体两端接地时，才能对电感耦合起作用。究竟起什么作用呢，下面进行分析。 屏蔽层的引入会减小电感耦合的噪声电压：当引入两端接地的屏蔽层后，这个屏蔽层在导体1的作用下会产生感应电流IS，且IS = V1S/ZS。 IS通过屏蔽层与导体2之间的互感M2S 在导体2上产生电压 VS2 。因此导体2上产生的串扰电压VN 为 I1 直接在导体2上产生电压V12 与屏蔽层在导体2上产生的电压 VS2之和。即： VN = V12 + VS2 根据电磁感应定律，IS的方向与I1 的方向相反，因此 V12的方向与VS2的方向相反，两者相抵消。因此减小了耦合电压。 串扰电压的计算：（设I1为正弦波） V12 = M12 d I1/dt = j ? M12 I1 用同样公式可得： VS2 = j ? MS2 IS ， V1S = j ? M1S I1 由于导体2与导体2的屏蔽层靠得很近，因此有M1S = M12 ， 所以： V1S = j ? M1S I1 = j ? M12 I1 = V12 若导体2屏蔽层的电阻和电感分别为：RS 和 LS ，则屏蔽层上的电流为： IS = V1S/ZS = V12 /（ RS + j?LS ） VS2 = j ? MS2 V12 /（ RS + j?LS ） VN = V12 - j ? MS2 V12 /（ RS + j?LS ）= V12 [ 1- j ? MS2 /（ RS + j?LS ）] 耦合电压 杨继深 2002年4月 电缆的EMC设计 场在导线中感应的噪声 电缆之间的串扰 * 杨继深 2002年4月 处于电磁场中的电缆 S h * 杨继深 2002年4月 电磁场在电缆上的感应电压 10kHz 100kHz 1MHz 10MHz 100MHz 1GHz 10GHz 0 -10 -20 -30 -40 -50 1 2 3 A B C D E h