集成电路应用3.pptVIP

高速CMOS集成电路较高的输出驱动电流使之可能直接驱动某些外接负载。但是有一些器件，如发光二极管、继电器、螺线管等的工作电流可能超过高速CMOS的驱动能力，达到几十毫安以上的水平，这时高速CMOS集成电路与负载之间最采用晶体管接口的方法。在高速CMOS输出信号控制下，由晶体管提供放大的电流（可以达到几百毫安）去驱动负载工作。图2-29列举了高速CMOS与负载接口的几种方法。图2-29（a）表示经过晶体管驱动外接电源的负载，图2-29(b)表示经过晶体管驱动相同电源的负载，而图2-29（c）为同一电源下高速CMOS直接与负载接口。 * 图2-29 高速CMOS与负载接口的方法 * * 由于CMOS电路抗浪涌电压和大电流冲击的能力较TTL电路为低；输入端具有高阻抗；阈值电平与TTL电路不同等特点 基于上述几点原因，在应用CMOS集成电路时，电路设计应注意以下几个方面的问题： 输入端和输出端保护；电源；线路板设计；抗干扰与抗静电；温度；与TTL电路的接口等 这些问题有的是基于安全原因，有的是基于信号处理或二者兼而有之。 * 输入端与输出端保护 输入端处理：（防浪涌与抗干扰） 由于CMOS电路输入阻抗高，当输入端处于悬空状态时，易受各种干扰信号的影响使其输出端的逻辑状态不稳定，甚至会导致可控硅效应的产生。因此，对不使用的输入端要通过电阻（数十K）接地或接电源。 从其他电子装置向CMO