集成电路基本单元精要.ppt

* * NMOS传输门(续) MOS管的结构是对称的。 D和S在结构上没有任何差别。通常，规定输入端为D，输出端为S。因为: 这种电路是不加电源电压的； 电路正常工作所需的能量全由输入端提供。 当MOS管导通时，输入电压就对CL充电，在CL上建立输出电压，其能量由输入端提供。或者CL对输入端放电，把能量还给输入端。因而，输出电压总是小于或等于输入电压。所以，规定输入端为D，输出端为S。 当NMOS传输门用作开关以传输逻辑信号时，传输“0”逻辑将是理想的。传输“1”逻辑则不理想，因为电平是蜕化的：尽管输入Vi = Vdd，输出却为Vo = Vdd?VTn。 传输门不仅仅是一只开关，而且还有记忆能力。 * PMOS传输门 1）PMOS管的门限电压VTp是负的，只有当Vgs ? ?? VTp?，即负得足够时才会导通。 2) 在PMOS电路中，通常是加负电源电压?Vdd，而正端接地。 3) 衬底接最高电位，即地。 I = input O = output ? = phase(control) * PMOS传输门(续) 早期的PMOS电路采用负电源，负逻辑，上述各点都正确。然而，PMOS逻辑电路已经淘汰。目前，PMOS管仅用于CMOS电路。它采用正电源，正逻辑。于是，衬底接Vdd。 PMOS传输门的工作原理同NMOS传输门完全一样. PMOS传输门用作开关传输逻辑信号时 传输“1”逻辑， 将是理想的。 传输“0”逻辑， 不是理想的。因为电平是蜕化的， 即Vi=0， Vomin=?Vtp?. PMOS放电放不到底！ * CMOS传输门 将NMOS传输门和PMOS传输门的优缺点加以互补， 得到特性优良的CMOS传输门 P-gate N-gate 传输门逻辑符号 * CMOS传输门（续） ?=0， NMOS和PMOS都不导通， VO(t)= VO(t-Tp)， 不传输信号 ?=1， NMOS和PMOS导通， 有两条通路 若I=0， 则NMOS通路更有效 CL可以放电放到 0 若I=1， 则PMOS通路更有效 CL可以充电充到 1 这样，输出电平要么是0，要么是1(Vdd)，没有电平蜕化，可理想地实现信号传送。 * CMOS基本逻辑电路 与非门和或非门电路：（a）二输入与非门（b）二输入或非门 * CMOS与非门的版图 （a）按电路图转换 （b）MOS管水平走向设计 * 或非门版图 （a）输入向右引线 （b）输入向上引线 * CMOS存储器 * 存储单元的等效电路 * 焊盘输入输出单元 输入单元:主要承担对内部电路的保护 输出单元 反相输出单元 同相输出单元 三态输出单元 漏极开路输出单元 * 焊盘输入单元 一般认为外部信号的驱动能力足够大，输入单元不必具备再驱动功能。因此，输入单元的结构主要是输入保护电路。 为防止器件被击穿，必须为这些电荷提供“泄放通路”，这就是输入保护电路。输入保护分为单二极管、电阻结构和双二极管、电阻结构。 * 焊盘输入单元例 单二极管、电阻电路 双二极管、电阻保护电路 * 焊盘输出单元 反相输出I/O　PAD 反相输出就是内部信号经反相后输出。反相器除了完成反相的功能外，另一个主要作用是提供一定的驱动能力。后图是一种p阱硅栅CMOS结构的反相输出单元，由版图可见构造反相器的NMOS管和PMOS管的尺寸比较大，因此具有较大的驱动能力。 * 反相输出单元例 p阱硅栅CMOS反相输出I/O　PAD * 反相输出单元(续) 大尺寸NMOS管版图结构和剖面 * 焊盘同相输出单元 同相输出I/O　PAD 同相输出实际上就是“反相＋反相”，或采用类似下图所示的偶数级的反相器链。考虑到驱动能力问题，利用链式结构可以大大地减小内部负荷。即内部电路驱动一个较小尺寸的反相器，这个反相器再驱动大的反相器，在同样的内部电路驱动能力下才能获得较大的外部驱动。 * 三态输出I/O　PAD 所谓三态输出是指单元除了可以输出“0”，“1”逻辑外，还可高阻输出，即单元具有三种输出状态。同样，三态输出的正常逻辑信号也可分为反相输出和同相输出。下图为同相三态输出的电路单元的结构图。 漏极开路输出单元 焊盘输出单元 * 三态输出I/O PAD单元版图 (续) * 输入输出双向三态单元（I/O PAD） 在许多应用场合，需要某些数据端同时具有输入、输出的功能，或者还要求单元具有高阻状态。在总线结构的电子系统中使用的集成电路常常要求这种I/O　PAD。 输入、输出双向三态单元电路 * 集成电路设计方法 全定制——模拟集成电路 半定制——数字集成电路 门阵列 标准单元 积木块 FPGA/CPLD * 作业