微电子器件课程复习题解析.docVIP

1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（）和（）。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区] 3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。 4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），内建电势Vbi就越（大），反向饱和电流I0就越（小）[P20]，势垒电容CT就越（ 大 ），雪崩击穿电压就越（小）。 5、硅突变结内建电势Vbi可表为（）P9，在室温下的典型值为（0.8）伏特。 6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。 8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（）P18。若P型区的掺杂浓度，外加电压V = 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（）。 9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（大）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。 10、PN结的正向电流