电子线路基础(梁明理)精要.pptVIP

可变电阻区：vDS很低，iD随vGS的增大直线上升。 改变vGS，直线斜率改变，阻值改变。 类似一只受vGS控制的可变电阻。 恒流区： 预夹断后，vGS为定值时，iD几乎不随vDS变化， vDS为定值时，iD随vGS的增大而增大， FET具有放大作用，且iD受vGS控制。 击穿区：当vDS增大到一定值以后，反偏的漏源之间的 PN结会发生击穿，漏极电流iD将急剧增大。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 耗尽型管 加正离子 uGS=0时就存在导电沟道。 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 第1章 基本半导体器件 1.4 场效应管——绝缘栅场效应管 1.直流参数 (1)开启电压VGS(TH)（增强型FET参数）:当vDS保持一定时，使增强型场效应管导通的最小电压。 (2)夹断电压VGS(off) （耗尽型FET参数）: 当vDS保持一定时，使耗尽型场效应管截止(夹断)的最小栅源电压。 (3)饱和漏极电流ID(sat)(耗尽型FET的参数) vGS=0时管