电力电子技术器件IGBT精要.pptVIP

2.4.4 绝缘栅双极晶体管 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT） GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 IGBT的结构 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图为N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与N沟道MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。 IGBT的结构 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，IGBT导通时P+ 往N-漂移区发射电子，对漂移区电阻率进行调制，使IGBT 具备较大的通流能力，解决电力MOSFTE中追求高耐压与低通态电阻之间的矛盾。 IGBT的结构 IGBT实用等效电路 Q1截止时IGBT的实用等效电路 Uce0,P+N-反偏，反向阻断。Uce0,N-P反偏，正向阻断。正反阻断能力近似相等。 IGBT的工作原理 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：