第四五讲单晶硅制备教案解析.pptVIP

硅单晶的制备，就是要实现由多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列；由不对称结构转变为有对称结构。这种转变而是通过固-液界面的移动而逐渐完成的。从熔体中生长硅单晶的方法，目前应用最广泛的主要有两种；有坩埚直拉法(Czochralski法,CZ)和无坩埚悬浮区熔法 (Zone meltng method) 又称Fz 法 (Float-Zone method)。 在温度适当的情况下．稳定几分钟后就可将籽晶插入进行熔接。 液体温度偏高，籽晶与硅液一接触，马上出现光圈，亮而粗，液面掉起很高，光圈抖动，甚至熔断； 液体温度偏低，籽晶与硅液接触后，不出现光圈或许久后只出现一个不完整的光圈，甚至籽晶不仅不熔接，反而结晶长大； 液体温度适中，籽晶与硅液接触后，光圈慢慢出现，逐渐从后面围过来成一宽度适当的完整光圈，待稳定后·便可降温引晶了。 7 、放肩 放肩的作用是为了让晶体生长到预定直径。放肩时，严格按照作业指导书规定的晶转、埚转、温度值和拉速值自动放肩。如遇特殊情况放肩时温度偏高或偏低，报告工程师或主管。 在放肩快结束时，校正CCD上的晶体直径读数与实际值一致！ 放肩角度必须适当，角度太小，影响生产效率，而且因晶冠部分较长，晶体实收率低。 一般采用平放肩(150°左右)，但角度又不能太大，太大容易造成熔体过冷，严重时将产生位错和位错增殖，甚至变为多晶。 8、 转肩 转肩的作用是控制直径，使晶体由横向生长变向纵向生长。 全自动单晶炉采用自动转肩。如果发生自动转肩没有转过来的情况，手动转肩到预定直径。 转肩过程注意控制直径大小！ 9 、等径 等径过程是晶体生长的主要阶段。 需要观察的是： 5.9.1埚位； 5.9.2晶棒是否晃动； 5.9.3晶棒扭曲； 5.9.4CCD的工作状态； 5.9.5真空状态是否正常； 5.9.6各冷却水是否正常； 5.9.7晶体是否断棱 等等 从晶体在炉内的外观可以判断晶体是否为无位错。100晶向生长的单晶，外观上可以见到4条等距对称的晶线，111晶向生长的单晶，外观上可以见到3条等距的晶线，一旦晶线出现异常，则无位错生长已被破坏。 在晶体生长状态下，固液界面处存在着温度径向和纵向梯度，即存在着热应力；晶体在结晶和冷却过程中，又会产生机械应力。当外界应力超过了晶体的弹性应力时，位错就会产生，以释放其外界应力。 当固液界面平坦时，热应力和机械应力都最小，有利于晶体的无位错生长。 如当固液界面呈凹形时，晶体外围比中心先凝结，中心部位凝结时，因外围已凝结而使其体积的膨胀没有足够的空间扩张，造成晶体内机械应力过大而产生位错。 因此，晶体在生长过程中常在下半部发生无位错消失的情况，适当地降低拉速将有利于维持晶体的无位错生长。在自动控制状态下，设定一个合理的拉速控制曲线也是非常重要的。 特别是在接近尾部液面已降至坩埚底部的圆弧以下时，液体的热容量减小较快，必须注意提升功率和降低拉速，否则，无位错生长将被破坏。 熔体的对流对固液界面的形状会造成直接的影响，而且还会影响杂质的分布。 总的说来，自然对流、晶体提升引起的对流不利于杂质的均匀分布； 晶体和坩埚的转动有利于杂质的均匀分布，但转速太快会产生紊流，既不利于无位错生长也不利于杂质的均匀分布。 熔体对流 自然对流：由于熔体周边的温度比轴心高，底部温度比上部高，在重力的作用下熔体形成对流. 对流的程度可由格拉斯霍夫(Grashof)常数(Gr)来判断。 a液体热膨胀系数； d坩埚内径或液体深度； △T熔体内最大温度偏差； Vk液体动力黏滞系数； g重力加速度。 由于Gr∝d3，坩埚内径d越大，液体越深，液面越大，自然对流程度越大，甚至会形成紊流，影响单晶的正常生长。 对硅而言，Gr=1.56×104ΔTd3，临界值为105。经估计，在目前热场条件下，其值可达108，所以必须依靠其他的对流来加以抑制，才能使晶体生长稳定。 晶体转动的影响：晶体转动一方面可以改善液体温度的轴对称性，另一方面又可抑制自然对流。 晶体转动会使紧临固液界面下的熔体往上流动，并借助离心力往外流动，这种流动与自然对流作用相反。由晶体转动引起的液体流动程度，可由瑞洛尔兹(Reynolds)常数Re来描述 式中r为晶体半径；ωs为晶体的转速。 在液面宽而深的情况下，晶体转动引起的流动，只能在固液界面下的小区域内起作用，其他区域仍主要受自然对流影响。 当液面变小深度变浅时，晶体转动的作用就越来越大，自然对流的影响就越来越小。 如果Re超过3×105，则晶体转动也会造成紊流。对φ8in的晶体而言，要达到3×105，晶转要在20r／min以上。 坩埚转动将使外侧的熔体往中心流动，其影响程度由泰乐(Taylor)常数(Ta)来判