低噪声放大器的设计摘要.ppt

* 输出匹配电路—满足放大器输出驻波比 输出驻波比的指标主要是靠输出匹配电路解决。一般的微波管s22比s11要小些，所以比较容易达到良好匹配。 匹配完善时，输出驻波比很小，但增益又成为向右上倾斜，因此要兼顾这两项指标。如果是5级放大器，末级可以只考虑驻波比，而增益平坦度指标由末前2级承担。 * 输出匹配电路—改善放大器稳定性 通过对R阻值和分支微带特性阻抗Zr的调整，可以控制频带形状和对增益压缩的大小，这样就能使倾斜增益得以校正，而且对带外增益抑制更多。由于有阻性损耗，就比纯电抗匹配法对驻波比的影响小，更有利于改善输出驻波比。 有耗网络匹配方法，将对放大电路引入电阻热噪声，因此只能用于输出电路，不能用于前级。 图6-14 用有耗匹配电路改善稳定性 前述匹配电路大都是电抗性匹配。如果加入电阻就形成有耗匹配，例如图6-14所示。在主微带线上并联电阻R，电阻R后面再接一段?u/4的微带线，微带线终端通过电容C构成微波接地。?u是频带内高端频率fu的波长。在频率fu时，由于?u/4的作用，电阻无损耗；在频率低于fu时，相当于在主线上并联一个包含电阻损耗的分支电路。频率偏离fu越多，损耗越大，增益就越低。 * 放大器整体电路 图6-15给出一个完整的C波段低噪声放大器微波电路。为了便于分析，图中未画出偏置电压的引线和电源部分的电阻电容元件。 图6-15 四级低噪声放大器微带电路 第1级FET按最佳噪声要求设计。 第2级也是最佳噪声设计。 第3级和第4级用直接移相线段作级间匹配电路。 * 放大器整体电路—微带电路部分 第1级FET按最佳噪声要求设计。为了改善稳定性，在FET的两个源极和地之间各串联一段微带线构成串联负反馈。负反馈微带接地方式是在基片上打孔，基片是聚四氟乙烯纤维板，孔壁金属化后与底面金属地层接通。 栅偏压由扇线短路点引入，短路点上焊装了稳定电阻，用以抑制频带外过高增益，增加放大器的稳定性。 主微带线两侧各加有一排方形小块，是微调小岛。可用焊锡把一部分小岛联通，用以改变主微带线宽度。微调小岛一般置于电路敏感度高的地方，可用来微调电路，从而可补偿有源元件和焊装的工艺参数离散性。 第2级也是最佳噪声设计。第1级和第2级之间用两个分支电路进行匹配。第2级FET也加了源极串联负反馈。两根细微带都是偏置电流引入线。开路分支顶端有一排小岛，可用来微调分支微带长度。 第3级和第4级用直接移相线段作级间匹配电路。这两级采用另一种型号的FET，未加负反馈。 电路中的横向缝隙是直流断开点，用于焊装隔直流电容器。C波段隔直流电容常用20~100pF片式电容器。电容器在焊装前都要用微波网络分析仪测量其微波S参数，以确保隔直流电容器在工作频段内损耗足够小。 * 放大器整体电路—偏压供电电路部分 图6-16是该放大器电原理电路，对低频和直流供电电路来说，微带线呈直通特性。 本电路采用双电源供电。所谓双电源是指漏极正电压和栅极负电压分别由正压和负压两个电源供电。外加电源15V，经1N4001保护二极管，用集成稳压块M1（此处为7805）获得稳定电压正5V。分别经Rd1、Rd2、Rd3、Rd4降压后加到4个FET的漏极。在微带电路上是加在偏置微带线的零电位点，使之不影响微波电路。调整各个Rd即分别控制了各FET的漏极电压。通常低噪声MES FET漏极工作电压为3V，电流为10Ma；HEMT的漏极电压为2V。 * 放大器整体电路—偏压供电电路部分 Rg1、Rg2、Rg3、Rg4是调整低噪声放大器的重要元件。微带电路制作好了以后，较难调整。如果用CAD软件经过仔细设计的电路，有时微带电路元件无需调整。这时微波管的直流工作点就成了唯一可调参数。改变各个电阻Rg就可以改变各微波管的直流工作点，从而改变了微波管S参数，使放大器得以微调。栅负压减低时（向更负电压方向调整），漏极电流减小，FET的s21下降，增益下降。同时，由于改变工作点电流时s11和s22也都有变化，因此Rg可以对增益平坦度和噪声特性都能进行有效调整。 稳压块M1输出的正5V电压经倒置稳压块M2变换成负5V。分别经Rg1、Rg2、Rg3、Rg4和820?电阻分压后供给各微波管栅极负电压。低噪声微波FET栅负压一般是–1V左右，栅极电流可认为是零。对于双极型微波晶体管，有基极电流但也不大。 * 放大器整体电路—偏压供电电路部分 图6-17 放大器自生偏压电路 微波管源极串接电阻R和电容C之后接地。电容C对微波短路。电阻R上的负电压通过输入匹配电路接地T分支微带加到栅极。尽管R和C都用微型片式元件，形式虽小但仍然有一定尺寸，而且焊接点也不可能紧贴微波管壳，这就相当于存在串联微带式的负反馈。此外电容的接地不良还会引起电阻性负反馈。 自生偏压供电方式电路结构简单，但对