第8章_半导体器件.pptVIP

* 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,，称为截止区。 * 四、三极管的主要参数（Primary parameter） 1.电流放大系数? 常用的?值约20~100。 2.集--射极穿透电流ICEO ?A ICEO ICEO 受温度影响大，越小越好。 集电极电流：IC= ?IB+ICEO * 3.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升，会导致三极管的?值下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流为ICM。 4.集--射极反向击穿电压U（BR）CE0 温度25?C、基极开路时的击穿电压U（BR）CE0 。 Primary parameter * 5.集电极最大允许功耗PCM PC = IC UCE 集电极电流IC流过三极管，导致结温上升，所以对PC有所限制： PC ? PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BRCE) 6.特征频率fT 三极管起放大作用的极限频率. 安全 工作区 Primary parameter 图8.4.8 功耗曲线 * Primary parameter ICM 、U（BR）CE0、PCM 是使用三极管的极限参数。 以上参数中： ?、ICBO 、 ICEO 是三极管质量优劣的主要指标。 * 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 –(2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 * 复合三极管（darlington) ic1 = ?1 ib ib2 = ie1=(1+?1) ib ic2=??2 ib2 ic = ic1 + ic2 = [ ?1 + ?2 ( 1 +??1 ) ] ib ~ ~ ?1 ?2 ib C B E T1 T2 ib ic 复合NPN管 ib ic C B E (补充内容) * C B E T1 T2 ib ic 复合管: 类型同第一支晶体管; ?? ? ?1 ?2 。 复合PNP管 ib ic C B E 复合三极管（darlington) (补充内容) * *§8.5 场效应晶体管(Field effect transistor) 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 * MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 N导电沟道 未预留? N沟道增强型 预留? N沟道耗尽型 图8.5.1（a）场效应管的结构 * P N N G S D N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 G S D * ? N沟道MOS管的特性曲线 ID mA V UDS UGS 实验线路(共源极接法) G S D RD P N N G S D * NMOS 场效应管转移特性 N沟道耗尽型 （UGS=0时，有ID） G S D 0 UGS（off） ID UGS 夹断电压 UGS有正有负 N沟道增强型 （UGS=0时，ID =0 ） G S D ID UGS UGS（th） 开启电压 UGS全正 * UGS=3V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=4V UGS=5V UGS=2V UGS=1V 开启电压UGS（th）=1V 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 增强型NMOS场效应管 输出特性曲线 * 增强型NMOS场效应管转移特性 N沟道增强型 （UGS=0时，ID =0 ） G S D ID UGS UGS（th） 开启电压 UGS全正 * 耗尽型NMOS场效应管 输出特性曲线 UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V 夹断电压UP=-2V 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 * 耗尽型NMOS场效应管转移特性 N沟道耗尽型 （UGS=0时，有ID） G S D 0 UGS（off） ID UGS 夹断电压 UGS有正有负 * 跨导gm UG