第3章 二极管及其电路.pptVIP

* 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程，可解得： 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管电流为Izmax * 《例》稳压管稳压电路如图所示。已知UI=10V，R=100Ω，稳压管的稳定电压 UZ=5V，I Z(max)=50mA ，I Z(min) =5mA ,试求：（1）负载RL的变化范围是多少？（2）稳压电路的最大输出功率PCM是多少？（3）稳压管的最大耗散功率PZM和限流电阻R上的最大耗散功率PRM是多少？ 《解》（1）总电流 输出电流最大时，必须保证稳压管中至少有5mA电流流过。即 * * 2）限幅电路 * 《例》已知电路如图所示，试画出该该电路的电压传输特性。并说明该电路个功能。 《解》 电压传输特性： 该电路为一窗口比较器。 * 　发光二极管也叫LED，它是由砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷砷化镓（GaAsP）等半导体制成的，因此不仅具有一般PN结的单向导电性，而且在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。故发光二极管工作时要加正向电压。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 四、发光二极管 * （a）外形 发光二极管的外形和符号 （c）应用电路 （b）电路符号 LED数码管 * 第三次作业： 教材第60页 3.4 3.10 3.5 3.11 3.7 2.13 * 本章学习结束 Goodbye! * * * * * Analog Electronics * 第3章 半导体二极管及其电路 * 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 3.1 半导体基础知识 * 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 无杂质 稳定的结构 * 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 动态平衡 2、本征半导体的结构 * 两种载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 运载电荷的粒子称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 3、本征半导体中的两种载流子 * 二、杂质半导体 1. N型半导体 磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ * 2. P型半导体 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ * 三、PN结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低(相遇而复合) ，产生内电场。 * PN 结的形成 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 * PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。