磁控溅射法制备基于CeO2的全透明阻变存储器！.docVIP

磁控溅射法制备基于CO2的全透明阻变存储器 摘要 本文介绍了磁控溅射薄膜附着性能的影响因素；并采用磁控溅射法，以CeO2作为有源层、铟锡氧化物（ITO）作为电极，在玻璃衬底上制备全透明阻变存储器（TRRAM）器件。制备器件的可见光透过率为81%，其光学带隙能量为4.5eV，并具有可靠的双极型电阻开关行为。XRD分析表明，CeO2薄膜具有微弱的多晶相。其传输机理为，低场区以欧姆型为主，高场区以Poole–Frenkel效应为主。关于器件可靠性研究，分别在室温和85℃下对器件进行了，应力和耐力测试，得到其数据存储时间超过104s，表明该TRRAM器件在未来非易失性存储器应用上具有潜在价值。 Abstract This article describes the influence factors on the adhere performance of magnetron sputtered, and fully transparent resistive random access memory (TRRAM) device based on CeO2?as active layer using indium-tin-oxide (ITO) electrodes was fabricated on glass substrate, by using direct current magnetron sputtering method. The ITO/CeO2/ITO memory device shows 81% transmission of visible light, optical band gap energy of 4.05?eV, and exhibits reliable bipolar resistive switching behavior. X-ray diffraction of CeO2?thin films demonstrated a weak polycrystalline phase. The low field conduction is dominated by Ohmic type while Poole–Frenkel effect is responsible for conduction in the high field region. The device reliability investigations, such as data retention (over 104?s) under applied stress and endurance tests conducted at room temperature and 85?°C show potential of our TRRAM devices for future non-volatile memory applications. Keywords： Resistive switching; TRRAM; RF magnetron sputtering; magnetron sputtering 1. 简介 透明电子器件是一种新兴的技术领域，又叫“隐形电子电路”[1]。透明非易失性存储器件（NVM）是它的一个重要组成。其中的透明阻变存储器（TRRAM），由于具有非易失性，而成为透明电子器件的重要一员。TRRAM具有优异的存储特性，如存储容量高，保留时间长，功耗低。目前，许多研究者使用一些稀土氧化物材料来研究TRRAM，如Yb2O3, Gd2O3, Ce2O3, Eu2O3, Lu2O3和Tm2O3。在先进CMOS技术里，稀土氧化物（REOs）由于可用做高k栅绝缘体，因而具有良好的应用前景。近年来，CeO2作为一种透明阻变材料引起了研究者们的兴趣，因为它在紫外至可见光范围内具有较高的透过率，禁带宽度较大（~6eV），介电常数高，折射率高（2.2~2.3），以及良好的热稳定性。已知CeO2存在 Ce3+和Ce4两种离子态，两种价态的可逆转性使得氧空位能够迅速形成和湮灭。尽管，CeO2薄膜和纳米尺寸的电阻开关特性已经有人研究，但是基于CeO2的TRRAM器件的电流传导机制还未得到解决。大量学者已经研究了基于稀土氧化物（REOs）、过渡金属氧化物和氮化物，用ITO作为顶部和底部电极的TRRAM器件，比如Gd2O3，AlN, IGZO，ZnO，TiO2，SiOx。上述提到的大部分TRRAM器件的电阻开关机理被解释为：在顶部氧化物电极表面，通过氧空位和氧离子迁移使导电丝形成和断裂。然而，Kim认为在ITO/AN/ITO器件中的开关机理是基于和氮化物相关的电子陷阱中电子的捕获和逃逸。此外，各种重要的开关参数，如起