创建一个芯片到光纤对接耦合器解析.docVIP

第9课：创建一个芯片到光纤对接耦合器（光学BPM） 本课程将介绍如何创建一个芯片到光纤耦合器。您将创建一个基于横向尖细一个简单的光点尺寸变压器的模型，如报告中[1]。 ? 高效芯片到光纤的耦合具有大的定位公差是用于光电集成的半导体器件的应用中尤为重要。这样的偶合需要光束点从有关模式的1μm的低损耗变化到8-10μm的范围内的导模在光纤中。 ? 一个两层光点尺寸变压器，如图1所示。该装置由一个强烈导引两层输入波导和一个弱导输出波导与它们之间的2层侧向锥形部分。我们将考虑尺寸和材料如[1]（表7）给出。生产过程的细节也可以在参考文献[1]。 ? ? ? 图1：双层光点尺寸的变压器 ? ? ? 材料 参数 nCladding（磷化铟） 3.1662 nSubstrate（磷化铟） 3.1662 nTopLayer（InGaAsP_top） 3.3832 nBottomLayer（InGaAsP_bottom） 3.2416 Ltaper 560μm WInputTop 1.2μm的 WInputBottom 2.4μm dCladding 5μm的 数据缓冲区 0.4μm的 dSubstrate 5μm的 dTopLayer 0.3微米 dBottomLayer 0.11微米 WOutputTop 0.08μm WOutputBottom 6.0μm ? 表7：材料及参数 ? ? 在您开始这一课 ? 熟悉在第1课的程序：入门。 熟悉在第2课的程序：创建一个简单的MMI耦合器。 熟悉在第3课的程序：创建一个单一弯道器 ? 该程序包括： 限定的材料和波导的芯片到光纤对接耦合器 定义布局设置 创建一个芯片到光纤对接耦合器 编辑输入平面 设置模拟参数 运行模拟 ? 限定的材料和波导的芯片到光纤对接耦合器 ? 要定义材料和渠道芯片到光纤对接耦合器，请执行以下步骤。 ? 步 行动 1 创建下面的电介质材料：名称：InGaAs_bottom二维各向同性折光指数（RE）：3.2416三维各向同性折光指数（RE）：3.2416 2 创建第二个介质材料：产品名称：磷化铟二维各向同性折光指数（RE）：3.1662三维各向同性折光指数（RE）：3.1662 3 创建第三绝缘材料：产品名称：InGaAs_top二维各向同性折光指数（RE）：3.3832三维各向同性折光指数（RE）：3.3832 4 创建以下通道配置文件：配置文件名 ??称：InputWgChannel第1层：图层名称：BottomLayer宽度：2.4厚度：0.11偏移：0.03D轮廓定义材质：InGaAs_bottom第2层：图层名称：TopLayer宽度：1.2厚度：0.3偏移：0.03D简介定义材质：InGaAs_top简介姓名：TopInGaAsChannel图层名称：顶部宽度：1.0厚度：0.3偏移：0.03D轮廓定义材质：InGaAs_top 简介姓名：BottomInGaAsChannel图层名称：底部宽度：1.0厚度：0.11偏移：0.03D轮廓定义材质：InGaAs_bottom ?注：该二维参数都不会被使用。该结构可以清楚地模拟仅在3D。 ? ? ? 定义布局设置 ? 要定义布局设置，请执行以下步骤。 ? 步 行动 1 键入下面的设置。a.Wafer尺寸：长：700宽：20覆层：材质：磷化铟厚度：5.4基材：材质：磷化铟厚度：5.0 2 要应用设置的布局，请单击OK（确定）。注：没有必要使模拟空间太宽，因为在网域内应该不会有大的散射。 ? ? 创建一个芯片到光纤对接耦合器 ? 输入波导将被定义为一个2层的单信道和输出波导作为一个简单的1层信道。模型耦合器的锥形部分，我们将分解成定位在彼此的顶部上2个单独的单层通道。通道中的每一个将是一个线性锥形波导的锥形方向相反。 ? 要创建芯片到光纤对接耦合器，请执行以下步骤。 ? 步 行动 1 。绘制和编辑直线输入波导a.Start偏移：水平：0垂直：0b.End偏移：水平：40垂直：0c.Width：2.4d.Depth：0.4e.Label：线性输入波导f.Profile ：InputWgChannel 2 绘制和编辑底部锥形波导。a.Start偏移：水平：40垂直：0b.End偏移：水平：600垂直：0c.Start宽度：2.4D.END宽度：6.0e.Depth：0.4f.Label ：锥度Linear底部g.Profile：BottomInGaAsChannel 3 绘制和编辑直接输出波导。a.Start偏移：水平：600垂直：0b.En